[发明专利]一种大功率LED器件的封装结构

权利要求书

1.一种大功率LED器件的封装结构，其特征在于，包括基板，通过锡膏或者共晶焊接的方式固定在所述基板上的大功率垂直结构的LED芯片、设置在所述基板周围的用于调节所述LED芯片出光效率的反射围墙，以及设置在所述LED芯片上方的且用于实现所述LED器件不同色温白光的荧光体；所述LED芯片与所述荧光体的距离大于100um。

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述LED器件的色温可以通过调节所述LED芯片与所述荧光体的距离进行调整。

3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述荧光体为单层或多层结构；按照荧光体的颜色划分，所述单层荧光体或多层荧光体的每层结构可以选择为红色荧光体、黄色荧光体、绿色荧光体和黄绿荧光体中的一种。

4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，按照所述荧光体的种类划分，所述单层荧光体或多层荧光体的每层结构可以选择为荧光陶瓷片，荧光薄膜和荧光硅胶中的一种。

5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述基板上固定有多个大功率垂直结构的LED芯片；所述LED芯片之间、LED芯片与基板之间，以及反射围墙上均喷涂有用于提高反射率的白胶。

6.根据权利要求2或5所述的封装结构，其特征在于，所述LED芯片为蓝光LED芯片或者波长为360～420nm的UV芯片。

7.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于，所述基板为高导热的陶瓷基板或金属基板。

8.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，若所述荧光体为荧光体硅胶，则在所述荧光体和所述LED芯片之间需增加一层透明的硅胶作为支撑结构。

9.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，通过调节所述反射围墙和所述基板的角度可以调节所述LED芯片的出光效率。