[发明专利]芯片及键合垫的形成方法

权利要求书

1.一种键合垫的形成方法，其特征在于，所述键合垫的形成方法包括：

形成一内层金属层于一衬底上；

形成一图案化的第一钝化层于所述内层金属层上，所述图案化的第一钝化层暴露出所述内层金属层的部分；

形成一键合垫于所述图案化的第一钝化层上，所述键合垫与暴露出的所述内层金属层连接。

2.如权利要求1所述的键合垫的形成方法，其特征在于，形成所述图案化的第一钝化层于所述内层金属层上的步骤包括：

形成一第一钝化层于所述内层金属层上；

刻蚀所述第一钝化层以形成所述图案化的第一钝化层，所述图案化的第一钝化层具有一沟槽，所述沟槽暴露出所述内层金属层的部分。

3.如权利要求2所述的键合垫的形成方法，其特征在于，所述沟槽呈环形。

4.如权利要求1所述的键合垫的形成方法，其特征在于，形成所述键合垫于所述图案化的第一钝化层上的步骤包括：

形成一垫金属层于所述图案化的第一钝化层上，所述垫金属层还填充所述沟槽并与暴露出的所述内层金属层连接；

对所述垫金属层进行刻蚀，暴露出部分所述图案化的第一钝化层以形成填充所述沟槽并延伸覆盖部分所述图案化的第一钝化层的键合垫。

5.如权利要求1所述的键合垫的形成方法，其特征在于，在形成所述键合垫之后，所述键合垫的形成方法还包括形成图案化的第二钝化层，所述图案化的第二钝化层覆盖所述键合垫的边缘部分。

6.如权利要求5所述的键合垫的形成方法，其特征在于，形成所述图案化的第二钝化层的步骤包括：

在所述键合垫和所述图案化的第一钝化层上沉积一第二钝化层；

对所述第二钝化层进行刻蚀，去除所述第二钝化层中对准所述键合垫中间的部分，暴露出部分所述键合垫以形成所述图案化的第二钝化层。

7.如权利要求6所述的键合垫的形成方法，其特征在于，所述第一钝化层和第二钝化层的材料均选自氮化硅或氧化硅。

8.如权利要求1所述的键合垫的形成方法，其特征在于，所述垫金属层的材料选自铝，所述内层金属层的材料选自铜。

9.一种采用如权利要求1～8中任一项所述的键合垫的形成方法制得的芯片，其特征在于，所述芯片包括：衬底；位于所述衬底上的内层金属层；位于所述内层金属层上的图案化的第一钝化层，所述图案化的第一钝化层暴露出所述内层金属层的部分；以及位于所述图案化的第一钝化层上的键合垫，所述键合垫与暴露出的所述内层金属层连接。

10.如权利要求9所述的芯片，其特征在于，所述芯片还包括位于所述键合垫上的图案化的第二钝化层，所述图案化的第二钝化层覆盖所述键合垫的边缘部分。