[发明专利]一种薄膜倒装LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种薄膜倒装LED芯片的制作方法，包括：

提供LED晶圆，所述LED晶圆包括衬底，依次设于衬底上的第一半导体层、有源层、第二半导体层、反射层和第一钝化层，设于第一钝化层表面及延伸至第一半导体层上的第一电极，贯穿第一钝化层并设置在反射层上的第二电极，第一电极和第二电极相互绝缘；

在LED晶圆上形成第二钝化层和第一键合层；

提供硅基底，在其上形成第二键合层；

将第一键合层与第二键合层进行键合，形成LED半成品；

对所述LED半成品进行刻蚀，形成刻蚀至第一电极表面的第一孔洞和刻蚀至第二电极表面的第二孔洞；

在硅基底的表面、第一孔洞和第二孔洞的侧壁形成第三钝化层；

在第三孔洞和第四孔洞内沉积一层金属，形成第一焊盘和第二焊盘；

移除衬底。

2.根据权利要求1所述的薄膜倒装LED芯片的制作方法，其特征在于，所述LED晶圆还包括设于第二半导体层和反射层之间的透明导电层和设于反射层上的金属阻挡层。

3.根据权利要求2所述的薄膜倒装LED芯片的制作方法，其特征在于，形成LED晶圆包括以下步骤：

提供衬底；

在衬底上形成外延层，所述外延层包括依次设于衬底上的第一半导体层、有源层和第二半导体层；

对所述外延层进行刻蚀，形成刻蚀至第一半导体层的裸露区域；

在所述第二半导体层上依次形成透明导电层、反射层和金属阻挡层，得到LED初品；

在所述LED初品上形成第一钝化层；

对所述第一钝化层进行刻蚀，形成刻蚀至第一半导体层上的第三孔洞和刻蚀至金属阻挡层上的第四孔洞；

在第一钝化层表面及第三孔洞内沉积金属，形成第一电极，在第四孔洞内沉积金属，形成第二电极。

4.根据权利要求1所述的薄膜倒装LED芯片的制作方法，其特征在于，对所述LED半成品进行刻蚀，包括以下步骤：

采用干法刻蚀工艺对所述硅片进行刻蚀，刻蚀至第二键合层表面，在第一电极上方形成第一孔洞，在第二电极上方形成第二孔洞；

采用湿法刻蚀工艺对第一孔洞和第二孔洞内的第二键合层和第一键合层进行刻蚀，使得第一孔洞和第二孔洞分别刻蚀至第二钝化层；

采用干法或湿法刻蚀工艺对第一孔洞和第二孔洞内的第二钝化层进行刻蚀，使得第一孔洞刻蚀至第一电极表面，第二孔洞刻蚀至第二电极表面。

5.根据权利要求1或4所述的薄膜倒装LED芯片的制作方法，其特征在于，第一孔洞和第二孔洞均位于反射层的上方。

6.根据权利要求1或4所述的薄膜倒装LED芯片的制作方法，其特征在于，第一孔洞和第二孔洞的直径由上往下递减。

7.根据权利要求1所述的薄膜倒装LED芯片的制作方法，其特征在于，第一焊盘和第二焊盘的面积相等。

8.根据权利要求1所述的薄膜倒装LED芯片的制作方法，其特征在于，位于第一钝化层上的第一电极与第二电极的高度相等。

9.根据权利要求1所述的薄膜倒装LED芯片的制作方法，其特征在于，形成LED半成品的热压键合温度为200-300℃，热压键合压力为300-2000kg/m²。

10.一种薄膜倒装LED芯片，其特征在于，包括：

LED晶圆，所述LED晶圆包括第一半导体层，依次设于第一半导体层上的有源层、第二半导体层、反射层和第一钝化层，设于第一钝化层表面及延伸至第一半导体层上的第一电极，贯穿第一钝化层并设置在反射层上的第二电极，第一电极和第二电极相互绝缘；

依次设于LED晶圆上的第二钝化层、第一键合层、第二键合层和硅基底；

第一焊盘，所述第一焊盘贯穿硅基底、第二键合层、第一键合层和第二钝化层，并与第一电极导电连接；

第二焊盘，所述第二焊盘贯穿硅基底、第二键合层、第一键合层和第二钝化层，并与第二电极导电连接；

设置在硅基底表面、第一焊盘和第二焊盘侧壁的第三钝化层。