[发明专利]半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201810589371.6 | 申请日： | 2018-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN108550563A | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 陈宏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 通孔 介质层 刻蚀 金属间介质层 半导体层 半导体结构 制备 刻蚀选择比 工艺平台 填充 平坦 芯片 生产 | ||
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一衬底；
在所述衬底上形成半导体层；
在所述半导体层中形成第一通孔，在所述第一通孔中填充第一介质层；
在所述半导体层上形成金属间介质层；
在所述金属间介质层中形成第二通孔，所述第二通孔位置与所述第一通孔位置相对应，所述第二通孔的孔径宽度小于所述第一通孔的孔径宽度；以及
在所述第二通孔中填充第二介质层。
2.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一通孔的孔径宽度范围为1.5～3.0微米。
3.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第二通孔的孔径宽度范围为1.0～2.0微米。
4.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一通孔与所述第二通孔相连。
5.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一介质层的材料为钨。
6.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，刻蚀所述金属间介质层形成所述第二通孔，所述第一介质层为所述刻蚀的着落层。
7.如权利要求6所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述金属间介质层的刻蚀落在所述第一通孔中的第一介质层上。
8.如权利要求7所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述金属间介质层的刻蚀落在所述第一通孔中的钨上。
9.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体层的厚度范围为3000～6000埃，所述金属间介质层的厚度范围为1500～4500埃。
10.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：衬底，位于所述衬底上的半导体层，以及位于所述半导体层上的金属间介质层。
其中，所述半导体层中具有第一通孔，所述第一通孔中填充有第一介质层；所述金属间介质层中具有第二通孔，所述第二通孔中填充有第二介质层；所述第二通孔的位置与所述第一通孔的位置相对应且所述第二通孔的孔径宽度小于所述第一通孔的孔径宽度。
11.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述第一通孔的孔径宽度范围为1.5～3.0微米。
12.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述第二通孔的孔径宽度范围为1.0～2.0微米。
13.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述第一通孔与所述第二通孔相连。
14.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述第一介质层的材料为钨。
15.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体层的厚度范围为3000～6000埃，所述金属间介质层的厚度范围为1500～4500埃。
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