[发明专利]电子零件封装体的制造方法

说明书

本发明涉及电子零件封装体的制造方法，能够在不使基板或该基板上的配线破损之下，在密封树脂上形成屏蔽用沟槽或通孔用孔。该电子零件封装体的制造方法，是在密封已配设在基板上的电子零件及电极垫的密封树脂的表面上，形成到达该电极垫的沟槽或孔，其包含：第1步骤，在该密封树脂的表面上的供形成该沟槽或孔的位置，通过模具成形而形成未到达该电极垫的预备沟槽或预备孔；以及第2步骤，通过使在该第1步骤中形成的预备沟槽或预备孔的深度增大的加工而使该电极垫露出。

本申请是申请号为201510358148.7，申请日为2015年6月25日，发明名称为“电子零件封装体的制造方法”的中国专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种以树脂密封半导体晶片等电子零件的封装体制造方法，尤其是涉及一种电磁性遮蔽封装体内的晶片的屏蔽(shield)用沟槽的形成方法、以及在PoP(Package on Package；堆迭)技术中用于电气连接上下的封装体的通孔用孔的形成方法。

背景技术

在水平方向(面方向)配置半导体晶片等电子零件并以树脂密封的封装体中，为了防止相接近的零件产生干扰，而必须电磁性遮蔽(屏蔽)封装体内的零件。

关于在封装体内的进行电磁遮蔽的情形的一般的构成例，参照图1进行说明。另外，在以下本说明书中所参照的各附图，为了简化说明而将各部的尺寸比例适当地变更，其并非为正确地表示了实际制品的形状。图1中(a)是半导体封装体1的剖面图，图1中(b)是图1中(a)所示的半导体封装体1的上面图(俯视图)。图1中(a)是图1中(b)的A-A’线剖面图。在半导体封装体1的制造步骤中，首先，将半导体晶片20所具备的电极端子21，通过凸块(bump)22而与基板10上的配线11连接，对这类以由热硬化性的树脂材料(例如环氧树脂(epoxy))构成的树脂层30进行密封。接着，在树脂层30的表面301(上面)形成既定图案的沟槽31并使基板10上的接地电极12露出。然后，在已形成的沟槽31埋入屏蔽材32、施以涂膜等。通过以上的步骤，能够遮蔽半导体封装体1内的零件间的电磁性干扰。

此外，随着电子机器的小型化，对半导体封装体的高密度化的需求大增，作为因应如此的需求的技术，提供有利用PoP型的晶片积层构造的TMV(Through Mold Via；树脂成型晶圆穿孔导通)法的制品。

参照图2，对TMV法的PoP型的晶片积层构造的一实施例进行说明。图2中(a)表示PoP中的下侧封装体1a及上侧封装体1b，图2中(b)表示将两者积层连接的状态。针对配设在上侧封装体1b上的电子零件等适当地省略图示，对于具有与图1相同或类似功能的构件，在相同符号的尾末附加既定的字符而加以区分。关于半导体晶片20a或各种配线等的树脂密封步骤是与图1所示的实施例相同。在图2的(a)中，在下侧封装体1a，取代沟槽31而形成有到达基板10a上的上下连接电极13a的孔31a(例如圆形的开口部)。在上侧封装体1b，在设置于背面(该图中下侧的面)的上下连接电极13b上镶有(mounting)焊珠33。接着，以将上下连接电极13b上的焊珠33嵌入于孔31a的方式，将上侧封装体1b载置于下侧封装体1a上。若确认上下的封装体1b、1a的位置关系是适合的，则通过回焊(reflow)加热将焊珠33溶融而填满孔31a内，成为连接上下的封装体1b、1a的上下连接电极13b、13a的连接通孔34。另外，也可取代上下连接电极13b上的焊珠33，而在孔31a内填充导电性材料。

专利文献1：日本特开2009-26805号公报。

发明内容

在上述的实施例中，屏蔽用沟槽或通孔用孔的形成，现有以往一般是通过雷射加工进行。该加工手法是通过雷射照射使树脂材料溶融而进行，由于未伴随切削器具磨耗等的劣化因此广泛被采用。

然而，雷射加工容易受封装体的厚度偏差或弯曲等的影响，例如若封装体的厚度小于假定值，则存在有雷射强度过大而切断配线、伤及基板等不佳情况产生，因此存在有必须进行精密的控制而使加工变复杂等的问题。