[发明专利]数据储存装置以及非挥发式存储器操作方法

说明书

本发明涉及数据储存装置的复电技术，尤其提供一数据储存装置以及非挥发式存储器操作方法。该数据储存装置具有一非挥发式存储器以及一控制单元。该数据储存装置复电时，该控制单元对该非挥发式存储器填虚数据，自一主动区块上一最末页指标所指下一页开始填写虚数据，直至该主动区块上一空页指标所指一空页所属的一第一字线群填满虚数据，以避开不稳定空间的使用。

技术领域

本发明有关于数据储存装置以及其中非挥发式存储器的操作方法。

背景技术

非挥发式存储器有多种形式─例如，快闪存储器(flash memory)、磁阻式随机存取存储器(Magnetoresistive RAM)、铁电随机存取存储器(Ferroelectric RAM)、电阻式随机存取存储器(Resistive RAM)、自旋转移力矩随机存取存储器(Spin Transfer Torque-RAM，STT-RAM)…等，用于长时间数据保存。

然而，非挥发式存储器的写入操作可能被非预期断电中断。为确保数据可靠度，数据储存装置的复电程序为本技术领域一项重要课题。

发明内容

根据本发明一种实施方式实现的数据储存装置包括一非挥发式存储器以及一控制单元。该数据储存装置复电时，该控制单元对该非挥发式存储器填虚数据(dummy data)，自一主动区块上一最末页指标所指下一页开始填写虚数据，直至该主动区块上一空页指标所指一空页所属的一第一字线群填满虚数据。该控制单元可更在对该非挥发式存储器填毕上述虚数据后，更新该空页指标指向接续的一第二字线群。该控制单元可更在更新该空页指标后，根据该最末页指标，进行该第一字线群至该第二字线群的数据搬移，以保全原本储存在该第一字线群的数据。所述技术避开不稳定空间的使用。

根据本发明一种实施方式实现的数据储存装置包括一非挥发式存储器以及一控制单元。该数据储存装置复电时，该控制单元若判断该非挥发式存储器断电前尚不存在一备用主动区块，则对该非挥发式存储器填虚数据，自一主动区块上一最末页指标所指下一页开始填写虚数据，直至该主动区块上一空页指标所指一空页所属的一第一字线群填满虚数据。该数据储存装置复电时，该控制单元若判断该非挥发式存储器断电前已存在该备用主动区块，则根据该备用主动区块的一最末页指标，将数据自该备用主动区块搬移到一新配置备用主动区块。该备用主动区块是在该主动区块完成数据接收时配置使用，供该控制单元在该备用主动区块的操作空档进行该主动区块的映射资讯封存。

一种实施方式中，一非挥发式存储器控制方法包括：于一数据储存装置复电时，若判断该数据储存装置中一非挥发式存储器断电前尚不存在一备用主动区块，则对该非挥发式存储器填虚数据，自一主动区块上一最末页指标所指下一页开始填写虚数据，直至该主动区块上一空页指标所指一空页所属的一第一字线群填满虚数据。该数据储存装置复电时，若判断该非挥发式存储器断电前已存在该备用主动区块，则根据该备用主动区块的一最末页指标，将数据自该备用主动区块搬移到一新配置备用主动区块。该备用主动区块是在该主动区块完成数据接收时配置使用，且该备用主动区块的操作空档用于进行该主动区块的映射资讯封存。

下文特举实施例，并配合附图，详细说明本发明内容。

附图说明

图1以方块图图解根据本发明一种实施方式所实现的一数据储存装置100，其中包括快闪存储器102以及控制单元104；

图2为流程图，图解根据本发明一种实施方式所实现的一复电程序；

3图流程图是关于步骤S212的不可靠数据即时搬移；

图4以图例说明本发明技术如何应付打断步骤S306的非预期断电事件；

图5流程图图解步骤S306搬移数据的一种实施方式，其中除了采单发完成写入操作，更在搬移数据前再度确认数据正确性；且

图6图解区块C2/C3存在时，复电所做的不可靠数据搬移。

符号说明