[发明专利]功率器件有效
申请号: | 201810778427.2 | 申请日: | 2018-07-16 |
公开(公告)号: | CN109285767B | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
发明(设计)人: | 高桥彻雄 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率 器件 | ||
1.一种功率器件,其在基板的一个主面侧设置有第1主电极,在该基板的另一个主面侧设置有第2主电极,
所述功率器件具有:
第1金属层,其设置于所述基板的所述一个主面侧,与该一个主面电连接;以及
第2金属层,其形成于所述第1金属层之上,
所述第1主电极包含所述第1金属层以及所述第2金属层,
在所述第2金属层之上设置有焊料层,
所述功率器件还具有绝缘部件,该绝缘部件由所述第1金属层的第1端部和与该第1端部相对的所述第2金属层的第2端部包围,
以使得所述第1金属层的所述第1端部与所述第2金属层的所述第2端部局部地连接的方式构成所述绝缘部件,
所述绝缘部件是固体。
2.根据权利要求1所述的功率器件,其中,
在所述第2金属层的所述第2端部中的位于所述绝缘部件上方的区域形成有凹部。
3.根据权利要求1所述的功率器件,其中,
所述绝缘部件的厚度比所述第2金属层的厚度小,
所述第2金属层的所述第2端部的厚度朝向该第2端部的端部而阶梯性地变小。
4.根据权利要求2所述的功率器件,其中,
所述绝缘部件的厚度比所述第2金属层的厚度小,
所述第2金属层的所述第2端部的厚度朝向该第2端部的端部而阶梯性地变小。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的功率器件,其中,
俯视观察时,所述绝缘部件沿所述焊料层的周缘部而设置。
6.根据权利要求5所述的功率器件,其中,
所述绝缘部件由大小不同的多个绝缘膜构成,
所述多个绝缘膜各自的形状为环状。
7.根据权利要求5所述的功率器件,其中,
所述绝缘部件由以点状配置的多个绝缘部构成。
8.根据权利要求1至4中任一项所述的功率器件,其中,
以使得所述绝缘部件中的越是靠近所述第2金属层的端部的部分则该部分的密度变得越高的方式构成该绝缘部件。
9.根据权利要求1至4中任一项所述的功率器件,其中,
所述绝缘部件由氧化膜构成。
10.根据权利要求1至4中任一项所述的功率器件,其中,
所述绝缘部件由氮化膜构成。
11.根据权利要求9所述的功率器件,其中,
所述功率器件还具有Ti层,
所述绝缘部件设置于所述Ti层之上。
12.根据权利要求10所述的功率器件,其中,
所述功率器件还具有Ti层,
所述绝缘部件设置于所述Ti层之上。
13.根据权利要求1至4中任一项所述的功率器件,其中,
所述焊料层的侧面侧的形状为圆角形状。
14.根据权利要求1至4中任一项所述的功率器件,其中,
所述第1金属层包含:
第1层;以及
第2层,其设置于所述第1层之上,
所述第2层的硬度比所述第1层的硬度低,
所述第2层与所述第2金属层接触。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造