[发明专利]封装结构及其形成方法

权利要求书

1.一种封装结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基板，所述基板表面具有粘合层；

在所述粘合层表面形成改善层，所述改善层内具有开口，所述开口底部暴露出粘合层表面；

提供芯片，所述芯片包括非功能面；

贴装芯片，使所述非功能面与开口底部的粘合层贴合；

其中，所述改善层的热膨胀系数，与粘合层的热膨胀系数之间的差值落在预设范围之内，所述预设范围为：-50～50，使得所述改善层和粘合层之间不易发生相对位移；

所述改善层和开口的形成方法包括：在所述粘合层表面形成改善膜；对所述改善膜进行曝光显影，形成所述改善层，所述改善层内具有开口；所述改善膜的材料包括光刻胶。

2.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述芯片包括与非功能面相对的功能面；所述芯片的功能面低于或者齐平于改善层表面；或者，所述芯片的功能面高于改善层表面。

3.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述粘合层包括：紫外粘合胶、丙烯酸压敏胶或者环氧树脂压敏胶。

4.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，贴装所述芯片之后，还包括：在所述改善层顶部、以及芯片的侧壁和功能面上形成塑封层；对所述塑封层进行减薄处理，直至暴露出功能面；在所述功能面上形成布线层和位于布线层表面的钝化层，所述钝化层内具有暴露出布线层顶部的焊料开口；在所述焊料开口内形成焊球；形成所述焊球之后，去除所述粘合层和基板，暴露出芯片的非功能面和改善层的表面；去除所述粘合层和基板之后，进行切割处理，形成芯片结构。

5.如权利要求4所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述芯片结构不包括改善层；或者，所述芯片结构包括部分改善层。

6.如权利要求4所述的封装结构的形成方法，其特征在于，去除所述粘合层和基板之后，进行切割处理之前，还包括：去除所述改善层。

7.一种封装结构，其特征在于，包括：

基板，所述基板表面具有粘合层；

位于所述粘合层表面的改善层，所述改善层内具有开口，所述开口底部暴露出粘合层表面；

位于所述开口内的芯片，所述芯片包括非功能面，所述非功能面与开口底部的粘合层贴合；

其中，所述改善层的热膨胀系数，与粘合层的热膨胀系数之间的差值落在预设范围之内，所述预设范围为：-50～50，使得所述改善层和粘合层之间不易发生相对位移；

所述改善层的材料包括光刻胶。

8.如权利要求7所述的封装结构，其特征在于，所述粘合层包括：紫外粘合胶、丙烯酸压敏胶或者环氧树脂压敏胶。

9.如权利要求7所述的封装结构，其特征在于，所述芯片包括与非功能面相对的功能面；所述芯片的功能面齐平于或者低于改善层表面；或者，所述芯片的功能面高于改善层表面。