[发明专利]OLED背板及其制作方法有效
申请号: | 201810806094.X | 申请日: | 2018-07-20 |
公开(公告)号: | CN109244107B | 公开(公告)日: | 2021-01-01 |
发明(设计)人: | 周星宇 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 背板 及其 制作方法 | ||
本发明提供一种OLED背板及其制作方法。该OLED背板中的透明导体层与像素电极形成透明电容结构,同时OLED发光区也位于透明电容结构的上方,即本发明的OLED背板的电容区和发光区为同一区域,由于透明电容结构不会影响OLED背板的开口率,因此本发明的OLED背板的发光面积较大,增加OLED背板的开口率,可以应用于高分辨率OLED显示面板,并且钝化层作为该透明电容结构的介电层,其厚度相对于层间绝缘层的厚度更薄,使透明导体层与像素电极之间的距离更近,可以进一步增加透明电容结构的电容值,因此透明电容结构整体面积可以制作的更小,以进一步增大OLED背板的开口率。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种OLED背板及其制作方法。
背景技术
有机发光二极管显示装置(Organic Light Emitting Display,OLED)具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽,可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点,被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。
OLED器件通常包括:基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的空穴注入层、设于空穴注入层上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光层、设于发光层上的电子传输层、设于电子传输层上的电子注入层、及设于电子注入层上的阴极。OLED器件的发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下,通过载流子注入和复合导致发光。具体的,OLED器件通常采用氧化铟锡(ITO)电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极,在一定电压驱动下,电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子传输层和空穴传输层,电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层,并在发光层中相遇,形成激子并使发光分子激发,后者经过辐射弛豫而发出可见光。
OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED,PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED,AMOLED)两大类,即直接寻址和薄膜晶体管矩阵寻址两类。其中,AMOLED具有呈阵列式排布的像素,属于主动显示类型,发光效能高,通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。
AMOLED显示装置通常包括OLED背板与设于OLED背板上的有机材料层,现有的OLED背板中的电容区由于有金属电极板的存在,所以发光区面积就会比较少,限制了高分辨率AMOLED显示装置的制作。
发明内容
本发明的目的在于提供一种OLED背板,发光面积较大,开口率高,可以应用于高分辨率OLED显示面板。
本发明的目的还在于提供一种OLED背板的制作方法,能增加OLED背板的发光面积以及OLED背板的开口率。
为实现上述目的,本发明提供了一种OLED背板,包括:衬底基板、设于所述衬底基板上的缓冲层、设于所述缓冲层上并间隔设置的有源层和透明导体层、设于所述有源层上的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的栅极、覆盖所述缓冲层、有源层、透明导体层及栅极的层间绝缘层、设于所述层间绝缘层上的源极和漏极、设于所述层间绝缘层、源极及漏极上的钝化层、设于所述钝化层上的平坦层、设于所述平坦层上的像素电极以及设于所述平坦层及像素电极上的像素定义层;
所述透明导体层与像素电极形成透明电容结构;所述像素定义层在该透明电容结构上方限定出OLED发光区。
所述有源层包括位于所述栅极绝缘层下方的沟道区以及位于所述沟道区两侧的源极接触区及漏极接触区;所述源极通过贯穿所述层间绝缘层的第一过孔与源极接触区接触,所述漏极通过贯穿所述层间绝缘层的第二过孔与漏极接触区接触。
所述钝化层通过贯穿所述层间绝缘层的第一开口与透明导体层接触;所述像素电极通过贯穿所述钝化层及平坦层的第三过孔与漏极接触,并通过贯穿所述平坦层的第二开口与钝化层接触。
所述钝化层作为透明电容结构的介电层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的