[发明专利]JFET型自激式交错并联Boost变换器在审
申请号: | 201810838871.9 | 申请日: | 2018-07-27 |
公开(公告)号: | CN108736723A | 公开(公告)日: | 2018-11-02 |
发明(设计)人: | 陈怡 | 申请(专利权)人: | 浙江工业大学 |
主分类号: | H02M3/158 | 分类号: | H02M3/158 |
代理公司: | 杭州斯可睿专利事务所有限公司 33241 | 代理人: | 王利强 |
地址: | 310014 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 驱动支路 电感 二极管 交错并联 负电压 自激式 导通 关断 低输入电压 宽输入电压 高效率 电容 | ||
1.一种JFET型自激式交错并联Boost变换器,其特征在于:所述JFET型自激式交错并联Boost变换器包括电感L1、电感L2、N型JFET管J1、N型JFET管J2、二极管D1、二极管D2、电容Co、驱动支路1和驱动支路2,驱动支路j具有端口aj、端口bj和端口cj,j的取值范围为1至2,直流电源Vi的正端同时与电感L1的一端和电感L2的一端相连,电感L1的另一端同时与N型JFET管J1的漏极、驱动支路2的端口c2和二极管D1的阳极相连,二极管D1的阴极同时与二极管D2的阴极、电容Co的一端和负载的一端相连,电容Co的另一端同时与负载的另一端、驱动支路1的端口b1、驱动支路2的端口b2、N型JFET管J1的源极、N型JFET管J2的源极和直流电源Vi的负端相连,电感L2的另一端同时与N型JFET管J2的漏极、驱动支路1的端口c1和二极管D2的阳极相连,N型JFET管J1的栅极与驱动支路1的端口a1相连,N型JFET管J2的栅极与驱动支路2的端口a2相连。
2.如权利要求1所述的JFET型自激式交错并联Boost变换器,其特征在于:所述驱动支路1中,当N型JFET管J2导通时,其端口a1产生负电压关断N型JFET管J1;所述驱动支路2中,当N型JFET管J1导通时,其端口a2产生负电压关断N型JFET管J2。
3.如权利要求1或2所述的JFET型自激式交错并联Boost变换器,其特征在于:所述驱动支路j包括稳压管Zaj、电阻Raj和电容Caj,驱动支路j的端口aj同时与稳压管Zaj的阳极和电阻Raj的一端相连,电阻Raj的另一端与电容Caj的一端相连,电容Caj的另一端与驱动支路j的端口cj相连,稳压管Zaj的阴极与驱动支路j的端口bj相连,j的取值范围为1至2。
4.如权利要求3所述的JFET型自激式交错并联Boost变换器,其特征在于:所述驱动支路j还包括电阻Rbj和二极管Dbj,电阻Rbj的一端与驱动支路j的端口aj相连,电阻Rbj的另一端与二极管Dbj的阴极相连,二极管Dbj的阳极与电容Caj的一端相连,j的取值范围为1至2。
5.如权利要求3所述的JFET型自激式交错并联Boost变换器,其特征在于:所述驱动支路j还包括电阻Rcj和二极管Dcj,二极管Dcj的阳极与驱动支路j的端口aj相连,二极管Dcj的阴极与电阻Rcj的一端相连,电阻Rcj的另一端与电容Caj的一端相连,j的取值范围为1至2。
6.如权利要求1或2所述的JFET型自激式交错并联Boost变换器,其特征在于:所述驱动支路j包括稳压管Zdj、电阻Rdj、电容Cdj和电感Ldj,驱动支路j的端口aj同时与稳压管Zdj的阳极和电阻Rdj的一端相连,电阻Rdj的另一端与电容Cdj的一端相连,电容Cdj的另一端与电感Ldj的一端相连,电感Ldj的另一端与驱动支路j的端口cj相连,稳压管Zdj的阴极与驱动支路j的端口bj相连,j的取值范围为1至2,电感Ldj与电感Lj存在耦合关系,电感Lj的一端与电感Ldj的一端是同名端关系。
7.如权利要求6所述的JFET型自激式交错并联Boost变换器,其特征在于:所述驱动支路j还包括电阻Rej和二极管Dej,电阻Rej的一端与驱动支路j的端口aj相连,电阻Rej的另一端与二极管Dej的阴极相连,二极管Dej的阳极与电容Cdj的一端相连,j的取值范围为1至2。
8.如权利要求6所述的JFET型自激式交错并联Boost变换器,其特征在于:所述驱动支路j还包括电阻Rfj和二极管Dfj,二极管Dfj的阳极与驱动支路j的端口aj相连,二极管Dfj的阴极与电阻Rfj的一端相连,电阻Rfj的另一端与电容Cdj的一端相连,j的取值范围为1至2。
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