[发明专利]一种氧化硅-硅界面态密度和俘获界面的测试方法在审
| 申请号： | 201810857480.1 | 申请日： | 2018-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN109116209A | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 余学功;秦亚洲;胡泽晨;董鹏;崔灿;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310013 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 测试 俘获 电荷 界面态密度 氧化硅薄膜 硅界面 氧化硅 载流子 能级 表面生长 单面生长 电容瞬态 电学测试 硅片表面 金属薄膜 能级位置 瞬态电容 发射 电容 硅片 刮擦 截距 求导 转化 应用 | ||
1.一种氧化硅-硅界面态密度和俘获界面的测试方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)在硅片表面单面生长氧化硅薄膜，然后在氧化硅薄膜表面生长金属薄膜，最后在硅片另一表面刮擦InGa溶液，进而制得适用于电学测试的MIS结构器件；
(2)在不同测试温度T下进行电容瞬态测试，获得电容在载流子发射过程中的变化，经过转化变为电荷密度为Nit的瞬态电容。对Nit关于时间t进行求导，求得在不同测试温度下电荷的发射速率ep；
(3)在不同测试温度T获得的电荷密度下，作ln(ep/T2)关于1/T的函数，由斜率和截距分别求得界面态密度和俘获截面随能级的分布。
2.根据权利要求1所述的氧化硅-硅界面态密度和俘获界面的测试方法，其特征在于，步骤(1)中，所述硅片的电阻率介于0.1–20Ω.cm之间，导电类型为n型或者p型。
3.根据权利要求1所述的氧化硅-硅界面态密度和俘获界面的测试方法，其特征在于，步骤(1)中，所述氧化硅薄膜的厚度为30-300nm。
4.根据权利要求1所述的氧化硅-硅界面态密度和俘获界面的测试方法，其特征在于，步骤(1)中，氧化硅薄膜的生长方法包括但不局限于干氧氧化、湿氧氧化、化学溅射法。
5.根据权利要求1所述的氧化硅-硅界面态密度和俘获界面的测试方法，其特征在于，步骤(1)中，所述金属薄膜的类型包括但不局限于金、铝，金属薄膜的厚度为50-100nm。
6.根据权利要求1所述的氧化硅-硅界面态密度和俘获界面的测试方法，其特征在于，步骤(1)中，金属薄膜的生长方法包括但不局限于磁控溅射法、电子束蒸发、热蒸发。
7.根据权利要求1所述的氧化硅-硅界面态密度和俘获界面的测试方法，其特征在于，步骤(2)中所述的测试温度T的范围介于100–400K之间。
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