[发明专利]显示基板的制造方法、显示基板、显示装置有效
申请号: | 201810890631.3 | 申请日: | 2018-08-07 |
公开(公告)号: | CN109061914B | 公开(公告)日: | 2021-08-17 |
发明(设计)人: | 王骁;马禹;闫岩 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/13 | 分类号: | G02F1/13;G02F1/1362;H01L27/12 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 制造 方法 显示装置 | ||
1.一种显示基板的制造方法,该显示基板包括阵列式分布的多个子像素,每个子像素中包括晶体管、像素电极和公共电极,其特征在于,该制造方法包括:
利用构图工艺在基底上形成像素电极,以及利用构图工艺在基底上形成所述晶体管的栅极和与所述栅极连接的栅线;
形成钝化层,在所述钝化层上制作测试过孔,所述测试过孔连通至所述像素电极;
形成公共电极材料层,所述公共电极材料层在所述测试过孔处与所述像素电极连接;
对所述公共电极材料层和所述栅线进行开路-短路测试,如果所述公共电极材料层与任意栅线短路,则判定与该栅线相连的晶体管中至少有一个晶体管的栅极与对应的像素电极发生短路不良;
对所述公共电极材料层进行图形化,以得到公共电极并且断开所述公共电极与所述像素电极之间的连接。
2.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,在判定与所述栅线相连的晶体管中至少有一个晶体管的栅极与对应的像素电极发生短路不良之后,该制造方法还包括:定位发生短路不良的栅极和像素电极,并将所述短路的栅极和像素电极之间的连接切断。
3.根据权利要求2所述的制造方法,其特征在于,所述将所述短路的栅极和像素电极之间的连接切断包括:通过激光切割发生短路不良的栅极或像素电极。
4.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述公共电极为狭缝电极。
5.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述像素电极包括用于显示的显示区以及在所述显示区边缘凸出的搭接区,所述测试过孔形成在所述搭接区处。
6.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,在形成钝化层之前,该制造方法还包括:
形成覆盖所述像素电极和所述栅极的栅极绝缘层;
利用构图工艺在所述栅极绝缘层上形成有源区;
利用构图工艺在所述有源区上形成源极和漏极,其中,所述漏极通过所述栅极绝缘层中的像素电极过孔与对应的像素电极连接。
7.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,在形成钝化层之前,该制造方法还包括:
形成覆盖所述像素电极和所述栅极的栅极绝缘层;
利用一次构图工艺在所述栅极绝缘层上形成有源区、源极和漏极;
所述测试过孔还连通至所述漏极,由此在形成所述公共电极材料层后,所述漏极能通过测试过孔中的所述公共电极材料层与像素电极电连接。
8.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,在形成钝化层之前,该制造方法 还包括:
形成覆盖所述像素电极和所述栅极的栅极绝缘层;
利用一次构图工艺在所述栅极绝缘层上形成有源区、源极和漏极;
在所述钝化层上制作测试过孔的同时还制作像素电极过孔,所述像素电极过孔与所述漏极和所述像素电极均连通,由此在形成所述公共电极材料层后,所述漏极能通过像素电极过孔中的所述公共电极材料层与像素电极电连接。
9.一种显示基板,其特征在于,所述显示基板经根据权利要求1-8任意一项所述的制造方法得到。
10.一种显示装置,其特征在于,包括根据权利要求9所述的显示基板。
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