[发明专利]显示基板的制造方法、显示基板、显示装置有效
申请号: | 201810890631.3 | 申请日: | 2018-08-07 |
公开(公告)号: | CN109061914B | 公开(公告)日: | 2021-08-17 |
发明(设计)人: | 王骁;马禹;闫岩 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/13 | 分类号: | G02F1/13;G02F1/1362;H01L27/12 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 制造 方法 显示装置 | ||
本发明提供一种显示基板的制造方法、显示基板和显示装置,属于显示技术领域,其可至少部分解决现有的ADS显示模式的显示基板中,像素电极与栅极短路难于在制造过程中检出的问题。本发明的制造方法包括:利用构图工艺在基底上形成像素电极,以及利用构图工艺在基底上形成晶体管的栅极和与栅极连接的栅线;形成钝化层,在钝化层上制作测试过孔,测试过孔连通至像素电极;形成公共电极材料层,公共电极材料层在测试过孔处与像素电极连接;对公共电极材料层和栅线进行开路‑短路测试,如果公共电极材料层与任意栅线短路,则判定与该栅线相连的晶体管中至少有一个晶体管的栅极与对应的像素电极发生短路不良。
技术领域
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种显示基板的制造方法、一种显示基板和一种显示装置。
背景技术
现有ADS模式的液晶显示用的显示基板的制造过程如下:首先将像素电极(一般采用氧化铟锡(ITO)材料)和晶体管的栅极(包括栅线)制作在基底的表面,像素电极与栅极之间没有绝缘层;
之后制作晶体管的其余结构(例如栅极绝缘层、有源区、源极、
漏极)以及与它们连接的线路等;然后制作公共电极(一般采用氧化铟锡(ITO)材料),直至整个显示基板制作完成。其中,一个像素电极、一个晶体管再结合公共电极参与构成一个子像素。
一个公共电极可以对应一个子像素,也可以是对应多个子像素。
其中,若形成显示基板时发生像素电极残留(也称1st IIORemain),导致像素电极的图形不正确时,由于像素电极与栅极之间没有绝缘层,故可能发生栅极与像素电极短路的不良,现阶段并无有效手段检测出该不良,只能等到后续工艺完成,将该显示基板结合彩膜基板构成液晶显示面板之后进行点灯检测时才能发现该不良(表现为一行子像素显示常黑或常白),而这时再修复短路不良比较困难,由此导致浪费资材。
现有技术中至少存在如下问题:无法在显示基板的制造阶段发现像素电极和栅极的短路不良。
发明内容
本发明至少部分解决现有的ADS模式的显示基板的制造过程中无有效手段检测出像素电极与栅极的短路不良的问题,提供一种显示基板的制造方法、一种显示基板和一种显示装置。
根据本发明的第一方面,提供一种显示基板的制造方法,该显示基板包括阵列式分布的多个子像素,每个子像素中包括晶体管、像素电极和公共电极,该制造方法包括:
利用构图工艺在基底上形成像素电极,以及利用构图工艺在基底上形成所述晶体管的栅极和与所述栅极连接的栅线;
形成钝化层,在所述钝化层上制作测试过孔,所述测试过孔连通至所述像素电极;
形成公共电极材料层,所述公共电极材料层在所述测试过孔处与所述像素电极连接;
对所述公共电极材料层和所述栅线进行开路-短路测试,如果所述公共电极材料层与任意栅线短路,则判定与该栅线相连的晶体管中至少有一个晶体管的栅极与对应的像素电极发生短路不良。
可选地,在判定与所述栅线相连的晶体管中至少有一个晶体管的栅极与对应的像素电极发生短路不良之后,该制造方法还包括:定位发生短路不良的栅极和像素电极,并将所述短路的栅极和像素电极之间的连接切断。
可选地,所述将所述短路的栅极和像素电极之间的连接切断包括:通过激光切割发生短路不良的栅极或像素电极。
可选地,在对所述公共电极材料层和所述栅线进行开路-短路测试之后,该制造方法还包括:
对所述公共电极材料层进行图形化,以得到公共电极并且断开所述公共电极与所述像素电极之间的连接。
可选地,所述公共电极为狭缝电极。
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