[发明专利]晶体生长装置及生长方法在审
申请号: | 201810900366.2 | 申请日: | 2018-08-09 |
公开(公告)号: | CN110820043A | 公开(公告)日: | 2020-02-21 |
发明(设计)人: | 狄聚青;朱刘;刘运连;赵颂;袁静 | 申请(专利权)人: | 广东先导稀材股份有限公司 |
主分类号: | C30B27/02 | 分类号: | C30B27/02;C30B29/06;C30B29/28;C30B29/30;C30B29/46;C30B29/32 |
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地址: | 511517 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶体生长 装置 生长 方法 | ||
本发明涉及一种晶体生长装置,其包括一石英炉、一底座、一顶盖、一提拉机构以及一籽晶;底座和顶盖分别固定于石英炉的下表面和上表面;石英炉包括一坩埚、包覆坩埚的保温材料、围绕坩埚的一加热器、一进气管、一波纹管、一籽晶杆、一出气管;坩埚内置有熔体,籽晶与熔体的液面相接;保温材料上部开设有上下贯穿的第一通孔,顶盖开设有上下贯穿的第二通孔,波纹管连接于顶盖和提拉机构之间,石英炉、顶盖、波纹管、提拉机构共同形成一炉腔,籽晶杆上下贯穿第一通孔、第二通孔,且籽晶杆两端分别连接籽晶和提拉机构;进气管贯穿底座而与炉腔连通;出气管贯穿顶盖,出气管的一端与炉腔连通。本发明同时涉及一种晶体生长方法。
技术领域
本发明涉及晶体的制备领域,尤其涉及一种晶体生长装置及生长方法。
背景技术
提拉法又称丘克拉斯基法,是一种从熔体中提拉生长高质量单晶的方法。提拉法的过程是将构成晶体的原料放在坩埚中加热熔化,在熔体表面熔接籽晶并开始提拉,在一定条件下,熔体在固液界面上逐渐凝固而生长出单晶体。提拉法已经成为应用范围最广的一种晶体生长方法。
单晶提拉炉是提拉法生长晶体的装置,一般由炉腔、加热系统、提拉系统、气氛控制系统等部分组成。其中,炉腔是晶体生长的容器,是单晶提拉炉重要的组成部分。炉腔起到隔绝空气,隔绝热辐射等作用。一般情况下,炉腔由双层不锈钢制作,中间通冷却水保护。多数单晶提拉炉需要在炉腔上开孔,用于观察晶体生长情况。由于炉腔复杂的结构,使得单晶提拉炉成本较高,不利于规模化生产;冷却循环水带走大量热量,不利于节能;由于炉腔为尺寸固定的不锈钢焊接而成,生长不同尺寸的晶体需要定制不同尺寸的炉腔,造成额外成本较高。
因此,有必要设计一种既能简化炉腔,又能够降低成本的一种晶体生长装置及生长方法。
发明内容
本发明的目的在于提供一种简化炉腔、降低成本的晶体生长装置及生长方法。
为实现前述目的,本发明采用如下技术方案:一种晶体生长装置,晶体生长装置包括一石英炉、一底座、一顶盖、一提拉机构以及一籽晶;所述底座和顶盖分别固定于石英炉的下表面和上表面;石英炉包括一坩埚、包覆坩埚的保温材料、围绕坩埚的一加热器、一进气管、一波纹管、一籽晶杆、一出气管;所述坩埚内置有熔体,籽晶与熔体的液面相接;保温材料上部开设有上下贯穿的第一通孔,顶盖开设有上下贯穿的第二通孔,波纹管连接于顶盖和提拉机构之间,所述石英炉、顶盖、波纹管、提拉机构共同形成一炉腔,籽晶杆上下贯穿第一通孔、第二通孔,且籽晶杆两端分别连接籽晶和提拉机构;进气管贯穿底座而与炉腔连通;出气管贯穿顶盖,出气管的一端与炉腔连通。
作为本发明的进一步改进,所述底座的上表面凸设有若干卡块;石英炉与底座通过卡块固定连接。
作为本发明的进一步改进,所述底座上连接一第一进水管、一第一出水管。
作为本发明的进一步改进,所述顶盖上连接一第二进水管和一第二出水管。
作为本发明的进一步改进,所述晶体生长装置还包括用于支撑提拉机构的一支架。
作为本发明的进一步改进,所述晶体生长装置还包括一液槽,所述液槽盛装有吸收液,出气管的另一端位于吸收液内。
作为本发明的进一步改进,所述吸收液为水。
本发明还提出一种晶体生长方法,采用上述晶体生长装置,晶体生长方法包括如下步骤:
S1:装炉阶段:将石英炉固定在底座中;将原料装入坩埚内,并安装好加热器;将顶盖安装在石英炉上,并将出气管插入盛有吸收液的液槽中;由第一进水管向底座通入冷却水,由第二进水管向顶盖通入冷却水;由第一出水管排出底座的冷却水;由第二出水管排出顶盖的冷却水;
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