[发明专利]一种低温镀氟化镁膜的工艺在审
| 申请号： | 201810920333.4 | 申请日： | 2018-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN108998760A | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | 王春生;张荣晋;孙爽 | 申请（专利权）人： | 苏州安洁科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/28 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 杜丹盛 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氟化镁膜 基础膜 镀膜 附着力 待镀膜基板 真空镀膜机 低温环境 表面镀 电离子 镀膜腔 混合膜 最外层 冷度 保证 | ||
【权利要求书】：
1.一种低温镀氟化镁膜的工艺，其特征在于：预先在待镀膜基板的表面镀TiO2膜、SiO2膜或TiO2和SiO2的混合膜三种膜的至少一种基础膜，最后在基础膜的最外层镀氟化镁膜，所述氟化镁膜进行镀膜时在真空镀膜机中进行，向镀膜腔注入电离子、温度为30℃～100℃。
2.如权利要求1所述的一种低温镀氟化镁膜的工艺，其特征在于：其具体操作步骤如下，选择不同产品的基板，之后利用膜设计软件设计镀膜程序，其中最后一层为氟化镁膜，之后将程序换算单位输入真空镀膜机固定程序文件夹中，将需要的蒸镀材料TiO2、SiO2、MgF2放入真空镀膜机中，将基板放入机器伞叶上，启动对应的运行程度，使得在基板表面形成基础膜，最后进行氟化镁镀膜，氟化镁镀膜时启动离子源辅助，将电离子注入镀膜腔，镀膜过程中保持温度在30℃～100℃。
3.如权利要求2所述的一种低温镀氟化镁膜的工艺，其特征在于：镀膜过程中保持温度为80℃。
4.如权利要求2所述的一种低温镀氟化镁膜的工艺，其特征在于：所述电离子具体为氩气电离所获得的带正电荷离子Ar+。
5.如权利要求1所述的一种低温镀氟化镁膜的工艺，其特征在于：所述基板的材质包括但不限于为玻璃、PC或PMMA。
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