[发明专利]一种低温镀氟化镁膜的工艺

说明书

本发明提供了一种低温镀氟化镁膜的工艺，其使得在低温环境下即可进行镀膜，确保直接冷度达到1.38，保证膜的硬度和附着力。预先在待镀膜基板的表面镀TiO₂膜、SiO₂膜或TiO₂和SiO₂的混合膜三种膜的至少一种基础膜，最后在基础膜的最外层镀氟化镁膜，所述氟化镁膜进行镀膜时在真空镀膜机中进行，向镀膜腔注入电离子、温度为30℃～100℃。

技术领域

本发明涉及镀膜的技术领域，具体为一种低温镀氟化镁膜的工艺。

背景技术

现有的氟化镁膜在镀膜操作时，由于该材料的最佳镀膜温度为250℃～360℃，其使得现有的氧化镁膜均需要在高温环境下进行镀膜，然而高温镀膜状态下，氟化镁膜的直接冷度ND达不到1.38，使得膜质很软附着力差，为此需要一种能够适用于镀氟化镁膜的工艺。

发明内容

针对上述问题，本发明提供了一种低温镀氟化镁膜的工艺，其使得在低温环境下即可进行镀膜，确保直接冷度达到1.38，保证膜的硬度和附着力。

一种低温镀氟化镁膜的工艺，其特征在于：预先在待镀膜基板的表面镀TiO₂膜、SiO₂膜或TiO₂和SiO₂的混合膜三种膜的至少一种基础膜，最后在基础膜的最外层镀氟化镁膜，所述氟化镁膜进行镀膜时在真空镀膜机中进行，向镀膜腔注入电离子、温度为30℃～100℃。

其进一步特征在于：

其具体操作步骤如下，选择不同产品的基板，之后利用膜设计软件设计镀膜程序，其中最后一层为氟化镁膜，之后将程序换算单位输入真空镀膜机固定程序文件夹中，将需要的蒸镀材料TiO₂、SiO₂、MgF₂放入真空镀膜机中，将基板放入机器伞叶上，启动对应的运行程度，使得在基板表面形成基础膜，最后进行氟化镁镀膜，氟化镁镀膜时启动离子源辅助，将电离子注入镀膜腔，镀膜过程中保持温度在30℃～100℃；

优选地，镀膜过程中保持温度为80℃；

所述电离子具体为氩气电离所获得的带正电荷离子Ar⁺；

所述基板的材质包括但不限于为玻璃、PC或PMMA。

采用本发明后，由于进行氟化镁镀膜时，在真空腔体内注入电离子，其使得镀膜在低温环境下可正常进行，其使得在低温环境下即可进行镀膜，确保直接冷度达到1.38，保证膜的硬度和附着力。

具体实施方式

一种低温镀氟化镁膜的工艺：预先在待镀膜基板的表面镀TiO₂膜、SiO₂膜或TiO₂和SiO₂的混合膜三种膜的至少一种基础膜，最后在基础膜的最外层镀氟化镁膜，氟化镁膜进行镀膜时在真空镀膜机中进行，向镀膜腔注入电离子、温度为30℃～100℃。

其具体操作步骤如下，选择不同产品的基板，之后利用膜设计软件设计镀膜程序，其中最后一层为氟化镁膜，之后将程序换算单位输入真空镀膜机固定程序文件夹中，将需要的蒸镀材料TiO₂、SiO₂、MgF₂放入真空镀膜机中，将基板放入机器伞叶上，启动对应的运行程度，使得在基板表面形成基础膜，最后进行氟化镁镀膜，氟化镁镀膜时启动离子源辅助，将电离子注入镀膜腔，镀膜过程中保持温度在30℃～100℃；

基板的材质包括但不限于为玻璃、PC或PMMA。