[发明专利]电子部件用金属材料及其制造方法、使用其的连接器端子、连接器及电子部件

权利要求书

1.电子部件用金属材料，其具备：

基材；

下层，其形成在所述基材上且由选自由Ni、Cr、Mn、Fe、Co及Cu所组成的组即A构成元素组中的1种或2种以上所构成；

中层，其形成在所述下层上且由选自由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os及Ir所组成的组即B构成元素组中的1种或2种以上所构成；及

上层，其形成在所述中层上且由选自由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os及Ir所组成的组即B构成元素组中的1种或2种以上、与选自由Sn及In所组成的组即C构成元素组中的1种或2种的合金所构成；并且

所述下层的厚度为0.05 μm以上且低于5.00 μm，

所述中层的厚度为0.01 μm以上且低于0.50 μm，

所述上层的厚度为0.02 μm以上且低于0.80 μm。

2.如权利要求1所述的电子部件用金属材料，其中所述上层的最小厚度（μm）为所述上层的厚度（μm）的50%以上。

3.如权利要求1所述的电子部件用金属材料，其中所述上层与所述中层的界面轮廓的相邻的山与谷的高低差的最大值（μm）为所述上层的厚度（μm）的50%以下。

4.如权利要求1所述的电子部件用金属材料，其中在所述上层的表面存在0.02 μm以下的C构成元素的总计原子浓度（at%）≥B构成元素的总计原子浓度（at%）≥10 at%的区域。

5.如权利要求1所述的电子部件用金属材料，其中所述上层含有所述C构成元素组的金属10～50 at%。

6.如权利要求1所述的电子部件用金属材料，其中存在为SnAg合金的ζ（zeta）相和ε（epsilon）相中的任一种或两种。

7.如权利要求6所述的电子部件用金属材料，其中还存在为Sn单相的βSn。

8.如权利要求1所述的电子部件用金属材料，其中所述上层的厚度低于0.50 μm。

9.如权利要求1所述的电子部件用金属材料，其中所述中层的厚度为0.05 μm以上且低于0.30 μm。

10.如权利要求1所述的电子部件用金属材料，其中所述上层与所述中层的厚度的比为上层：中层＝1：9～9：1。