[发明专利]光刻胶剥离设备及其剥离方法

权利要求书

1.一种光刻胶剥离设备，其特征在于，包括：光刻胶真空剥离腔、第一传送模块、第二传送模块和晶片盒；

未剥离光刻胶的晶片自晶片盒送入第一传送模块，由第一传送模块送入光刻胶真空剥离腔，晶片在光刻胶真空剥离腔内实施光刻胶剥离，剥离光刻胶的晶片由第二传送模块输送第一传送模块再转至晶片盒存储；

其中，第一传送模块能平衡第二传送模块与外界气压，第二传送模块是非真空环境，第二传送模块内部压力与外界气压具有压差，第二传送模块能利用所述压差吸入保护气体清洁晶片表面残留物和挥发物。

2.如权利要求1所述的光刻胶剥离设备，其特征在于：第二传送模块还设有冷却模块，冷却模块在第二传送模块吸入保护气体时启动降温。

3.如权利要求1所述的光刻胶剥离设备，其特征在于：第二传送模块还设有冷却模块，冷却模块在晶片进入第二传送模块时启动降温。

4.如权利要求1所述的光刻胶剥离设备，其特征在于：在第二传送模块内部晶片外侧边缘位置设有收集槽。

5.如权利要求1所述的光刻胶剥离设备，其特征在于：第二传送模块设有至少一个与外界连通具有控制阀的通气结构，晶片进入第二传送模块后通气结构开启。

6.如权利要求5所述的光刻胶剥离设备，其特征在于：通气结构为气孔。

7.如权利要求6所述的光刻胶剥离设备，其特征在于：当气孔为一个时，该气孔设置在晶片中心正上方。

8.如权利要求6所述的光刻胶剥离设备，其特征在于：当气孔为两个以上时，各气孔均匀设置，各气孔自晶片一侧边缘上方向晶片中心上方延伸布置，各气孔与晶片表面具有预设角度。

9.如权利要求8所述的光刻胶剥离设备，其特征在于：预设角度为5度至60度。

10.如权利要求1所述的光刻胶剥离设备，其特征在于：第二传送模块内部压力为100mTorr至20Torr。

11.如权利要求2或3所述的光刻胶剥离设备，其特征在于：第二传送模块吸入保护气体达到压力平衡并且第二传送模块内温度达到预设温度阈值时停止冷却模块。

12.如权利要求11所述的光刻胶剥离设备，其特征在于：预设温度阈值为10摄氏度至50摄氏度。

13.一种光刻胶剥离方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)将未剥离光刻胶的晶片送入第一压力环境进行光刻胶剥离，所述第一压力环境是真空环境；

2)在第一压力环境完成光刻胶剥离后，使剥离光刻胶的晶片进入第二压力环境，所述第二压力环境是非真空的预设压力环境，该预设压力与外界环境气压具有压差；

3)晶片进入第二压力环境后，使第二压力环境与外界环境的保护气体连通，在预设时间内对第二压力环境进行加压，通过所述压差吸入外界环境的保护气体；

4)利用吸入保护气体清洁晶片表面残留物和挥发物，将剥离光刻胶的晶片存储。

14.如权利要求13所述光刻胶剥离方法，其特征在于：实施步骤3)时，对晶片实施冷却降温。

15.如权利要求13所述光刻胶剥离方法，其特征在于：实施步骤2)时，对晶片实施冷却降温。

16.如权利要求14或15所述光刻胶剥离方法，其特征在于：实施步骤3)时，达到压力平衡并且温度达到预设温度阈值时停止冷却降温。

17.如权利要求13所述光刻胶剥离方法，其特征在于：预设压力为100mTorr至20Torr。

18.如权利要求13所述光刻胶剥离方法，其特征在于：预设时间为0.01S至0.1S。