[发明专利]改善晶圆光刻胶显影后残留缺陷的方法

权利要求书

1.一种改善晶圆光刻胶显影后残留缺陷的方法，其特征在于，包括：首先进行光刻显影工艺；然后进行轻微刻蚀工艺，以改善光刻显影工艺后形成的光刻胶残留缺陷，且调整以使所述光刻显影工艺的光刻关键尺寸为晶圆目标关键尺寸与所述轻微刻蚀工艺引起的晶圆关键尺寸的减小量之和。

2.根据权利要求1所述的改善晶圆光刻胶显影后残留缺陷的方法，其特征在于，晶圆目标关键尺寸为F、轻微刻蚀工艺引起的晶圆关键尺寸减小量为B，则设定光刻显影工艺的光刻关键尺寸A＝F+B，其中，晶圆目标关键尺寸F为实际生产工艺中晶圆关键尺寸的期望值。

3.根据权利要求2所述的改善晶圆光刻胶显影后残留缺陷的方法，其特征在于，轻微刻蚀工艺的刻蚀时间T每增加1秒，晶圆关键尺寸减小则设定轻微刻蚀工艺的刻蚀时间T＝(A-F)/f。

4.根据权利要求2或3任一项所述的改善晶圆光刻胶显影后残留缺陷的方法，其特征在于，轻微刻蚀工艺的刻蚀时间T每增加1秒，晶圆关键尺寸减小则设定轻微刻蚀工艺的刻蚀时间T＝(A-F)/10。

5.根据权利要求2所述的改善晶圆光刻胶显影后残留缺陷的方法，其特征在于，轻微刻蚀工艺的刻蚀时间T每增加1秒，晶圆关键尺寸减小则设定光刻显影工艺的光刻关键尺寸A＝F+f*T。

6.根据权利要求2或5任一项所述的改善晶圆光刻胶显影后残留缺陷的方法，其特征在于，轻微刻蚀工艺的刻蚀时间T每增加1秒，晶圆关键尺寸减小则设定光刻显影工艺的光刻关键尺寸A＝F+10T。

7.根据权利要求1所述的改善晶圆光刻胶显影后残留缺陷的方法，其特征在于，根据所述光刻显影工艺后残留的光刻胶的线宽设定所述轻微刻蚀工艺的刻蚀时间T。

8.根据权利要求7所述的改善晶圆光刻胶显影后残留缺陷的方法，其特征在于，所述轻微刻蚀工艺的刻蚀时间T每增加1秒，晶圆关键尺寸减小则设定所述光刻显影工艺的光刻关键尺寸A＝F+f*T。

9.根据权利要求1所述的改善晶圆光刻胶显影后残留缺陷的方法，其特征在于，所述轻微刻蚀工艺为低温刻蚀。

10.根据权利要求1或9任一项所述的改善晶圆光刻胶显影后残留缺陷的方法，其特征在于，所述轻微刻蚀工艺的刻蚀温度小于100℃。