[发明专利]改善晶圆光刻胶显影后残留缺陷的方法

说明书

本发明涉及一种改善晶圆光刻胶显影后残留缺陷的方法，涉及半导体集成电路生产工艺，所述改善晶圆光刻胶显影后残留缺陷的方法包括：首先进行光刻显影工艺；然后进行轻微刻蚀工艺，以改善光刻显影工艺后形成的光刻胶残留缺陷，且调整以使所述光刻显影工艺的光刻关键尺寸为晶圆目标关键尺寸与所述轻微刻蚀工艺引起的晶圆关键尺寸的减小量之和，以在改善光刻胶显影残留缺陷的基础上，不影响晶圆的关键尺寸(CD)。

技术领域

本发明涉及一种半导体集成电路生产工艺，尤其涉及一种改善晶圆光刻胶显影后残留缺陷的方法。

背景技术

在半导体集成电路生产工艺中，光刻刻蚀是常用步骤，其主要过程可参阅图1，图1为晶圆光刻刻蚀过程示意图，如图1所示，晶圆包括衬底100，衬底100上淀积有薄膜介质层110，薄膜介质层110上涂覆有一层光刻胶120。首先，通过光刻显影工艺将掩膜版上的图形转移到待加工的晶圆上；然后，经过刻蚀工艺将薄膜介质层110中没有被光刻胶120覆盖和保护的部分去除，以完成将掩膜版上的图形转移到晶圆上的目的。

然而，在光刻显影工艺中，在部分区域(如比较大块的需要显影的地方)光刻会因为显影能力不足，有少量光刻胶不能被完全去除。后续进行刻蚀工艺时，由于薄膜介质层110上还有少量光刻胶所以不能与溶液充分接触，导致残留缺陷的产生，具体的可参阅图2，图2为现有技术中光刻显影工艺后晶圆俯视图，如图2所示，在进行光刻显影工艺后，部分区域的光刻胶不能完全被去除，而形成光刻胶残留缺陷122，最终导致了薄膜介质层的残留缺陷。

发明内容

本发明的目的在于提供一种改善晶圆光刻胶显影后残留缺陷的方法，包括：首先进行光刻显影工艺；然后进行轻微刻蚀工艺，以改善光刻显影工艺后形成的光刻胶残留缺陷，且调整以使所述光刻显影工艺的光刻关键尺寸为晶圆目标关键尺寸与所述轻微刻蚀工艺引起的晶圆关键尺寸的减小量之和。

更进一步的，晶圆目标关键尺寸为F、轻微刻蚀工艺引起的晶圆关键尺寸减小量为B，则设定光刻显影工艺的光刻关键尺寸A＝F+B，其中，晶圆目标关键尺寸F为实际生产工艺中晶圆关键尺寸的期望值。

更进一步的，轻微刻蚀工艺的刻蚀时间T每增加1秒，晶圆关键尺寸减小则设定轻微刻蚀工艺的刻蚀时间T＝(A-F)/f。

更进一步的，轻微刻蚀工艺的刻蚀时间T每增加1秒，晶圆关键尺寸减小则设定轻微刻蚀工艺的刻蚀时间T＝(A-F)/10。

更进一步的，轻微刻蚀工艺的刻蚀时间T每增加1秒，晶圆关键尺寸减小则设定光刻显影工艺的光刻关键尺寸A＝F+f*T。

更进一步的，轻微刻蚀工艺的刻蚀时间T每增加1秒，晶圆关键尺寸减小则设定光刻显影工艺的光刻关键尺寸A＝F+10T。

更进一步的，根据所述光刻显影工艺后残留的光刻胶的线宽设定所述轻微刻蚀工艺的刻蚀时间T。

更进一步的，所述轻微刻蚀工艺的刻蚀时间T每增加1秒，晶圆关键尺寸减小则设定所述光刻显影工艺的光刻关键尺寸A＝F+f*T。

更进一步的，所述轻微刻蚀工艺为低温刻蚀。

更进一步的，所述轻微刻蚀工艺的温度小于100℃。

本发明一实施例，通过在晶圆的光刻显影工艺之后引入轻微刻蚀工艺，并预先调整光刻显影工艺的光刻关键尺寸，以在改善光刻胶显影残留缺陷的基础上，弥补引入轻微刻蚀工艺而导致的晶圆关键尺寸(CD)的减小量，而最终不影响晶圆的关键尺寸(CD)。

附图说明

图1为晶圆光刻刻蚀过程示意图。

图2为现有技术中光刻显影工艺后晶圆俯视图。

图3为本发明一实施例的改善晶圆光刻胶显影残留缺陷方法的流程图。