[发明专利]金刚石器件及其制备方法有效
申请号: | 201811045165.5 | 申请日: | 2018-09-07 |
公开(公告)号: | CN109273354B | 公开(公告)日: | 2021-01-12 |
发明(设计)人: | 郭建超;蔚翠;冯志红;房玉龙;何泽召;王晶晶;刘庆彬;周闯杰;高学栋 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
主分类号: | H01L21/04 | 分类号: | H01L21/04;H01L29/417;H01L29/45 |
代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人: | 李荣文 |
地址: | 050051 河北*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金刚石 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种金刚石器件的制备方法,其特征在于,包括:
在金刚石的源电极区和漏电极区沉积石墨烯催化层;
将沉积石墨烯催化层的金刚石进行退火处理,在所述金刚石中的源电极区和漏电极区形成石墨烯层;所述退火处理的处理温度为900℃至950℃,退火时间为5分钟至10分钟,降温速率为5℃/s至10℃/s,所述退火处理时的最大压强为一个标准气压;
在所述石墨烯层与源电极区对应区域的上表面沉积金属层形成欧姆接触源电极,在所述石墨烯层与漏电极区对应区域的上表面沉积金属层形成欧姆接触漏电极。
2.如权利要求1所述的金刚石器件的制备方法,其特征在于,所述在金刚石的源电极区和漏电极区沉积石墨烯催化层,包括:
在所述金刚石的上表面沉积石墨烯催化层;
在所述石墨烯催化层与源电极区对应的区域和与漏电极区对应的区域上分别涂覆光刻胶层;
去除所述金刚石中除源电极区和漏电极区以外区域的石墨烯催化层;
去除所述光刻胶层。
3.如权利要求2所述的金刚石器件的制备方法,其特征在于,所述在所述金刚石的上表面沉积石墨烯催化层,包括:
通过磁控溅射法、离子束沉积法和电子束蒸发法中的任一种沉积方法在所述金刚石的上表面沉积石墨烯催化层。
4.如权利要求2所述的金刚石器件的制备方法,其特征在于,所述去除所述金刚石中除源电极区和漏电极区以外区域的石墨烯催化层,包括:
通过硝酸溶液、硫酸溶液、盐酸溶液和氢氟酸溶液中的任一种溶液,对所述金刚石中除源电极区和漏电极区以外区域的石墨烯催化层进行腐蚀处理。
5.如权利要求1所述的金刚石器件的制备方法,其特征在于,
所述石墨烯催化层的材质为金属镍。
6.如权利要求1所述的金刚石器件的制备方法,其特征在于,
所述石墨烯催化层的厚度小于200nm。
7.如权利要求1所述的金刚石器件的制备方法,其特征在于,所述在所述石墨烯层与源电极区对应区域的上表面沉积金属层形成欧姆接触源电极,在所述石墨烯层与漏电极区对应区域的上表面沉积金属层形成欧姆接触漏电极,包括:
在所述金刚石中除源电极区和漏电极区以外区域的上表面涂覆光刻胶层;
在所述石墨烯层与源电极区对应区域的上表面和所述石墨烯层与漏电极区对应区域的上表面均沉积金属层;
去除所述光刻胶层。
8.如权利要求1至7任一项所述的金刚石器件的制备方法,其特征在于,所述金属层的材质为钌、铑、钯、银、锇、铱、铂、金、钛、铝、铬、锗、钼、镍、钨、铜、钴和铁中的任一种金属或至少两种金属相互组合的合金。
9.一种金刚石器件,其特征在于,通过如权利要求1至8任一项所述的金刚石器件的制备方法制备得到。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造