[发明专利]光学邻近校正(OPC)方法及使用该OPC方法制造掩模的方法有效

专利信息
申请号: 201811100247.5 申请日: 2018-09-20
公开(公告)号: CN109932865B 公开(公告)日: 2023-07-25
发明(设计)人: 崔多云;金裕卿;宋允景 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G03F1/36 分类号: G03F1/36
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 邵亚丽
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 光学 邻近 校正 opc 方法 使用 制造
【权利要求书】:

1.一种光学邻近校正(OPC)方法,包括:

将包括凹拐角的目标图案的布局的边缘划分成片段;

通过将包括片段的掩模数据输入到OPC模型来通过仿真提取目标图案的轮廓;

计算所述轮廓与所述目标图案的边缘之间的差值作为片段中的每一个的边缘放置误差(EPE);

确定是否执行提取所述目标图案的轮廓;

当要执行提取所述目标图案的轮廓时,通过将EPE乘以设定的反馈因子来确定片段的位移;以及

通过所述位移来移位片段,其中,所述OPC方法继续进行以使用被移位的片段来提取目标图案的轮廓,

其中,将所述目标图案的布局的边缘划分为片段包括基于凹拐角对所述目标图案的布局进行分解以形成内部边缘,并且所述布局的所述边缘包括分解布局之前的外部边缘和内部边缘,并且所述片段包括用于所述外部边缘的外部片段和用于所述内部边缘的内部片段。

2.如权利要求1所述的OPC方法,其中,计算每个片段的EPE包括基于用于所述外部片段的轮廓与所述目标图案的边缘之间的差来计算所述外部片段的边缘放置误差(EPE)(EPEout_frag),以及

基于以下公式(1)计算与所述内部片段相关的EPE(EPEin_frag):

EPEin_frag=1/n*ΣEPEsel(i)...............................公式(1),

其中,当相对于内部片段绘制具有设定半径的圆,并且具有包含在所述圆内的至少一部分的所述外部片段被称为所选中的片段时,n(自然数)指示所选中的片段的数量,并且EPEsel(i)(i是从1到n的自然数)是关于第i个所选中的片段的EPE。

3.如权利要求2所述的OPC方法,其中,在确定所述片段的所述位移时,基于以下公式(2)计算所述内部片段的位移(DISin_frag):

DISin_frag=EPEin_frag*FB*R......公式(2),

其中,基于以下公式(3)计算所选中的片段的位移(DISsel):

DISsel=EPEsel*FB*(1-R).......................公式(3),

其中,FB表示反馈因子,并且R表示具有大于等于0且小于等于1的值的设定的权重因子。

4.如权利要求3所述的OPC方法,其中,DISin_frag和DISsel通过调整所述设定的权重因子R来控制。

5.如权利要求3所述的OPC方法,其中,当拐角的位置和与所述拐角相邻的点之间的距离被定义为拐角圆滑半径(CRR)时,通过调整圆的所述设定半径和所述设定的权重因子R来控制CRR,其中所述点为所述轮廓与所述目标图案的边缘相交处。

6.如权利要求1所述的OPC方法,其中,沿着如下所述的线执行所述对布局进行分解:从外部边缘的线延伸到所述目标图案的拐角处的布局,并且与另一外部边缘的线相交的线,或从外部边缘的一条线延伸到布局并且从另一外部边缘的线延伸到拐角处的布局并相互会合的两条线。

7.如权利要求1所述的OPC方法,其中,

提取所述目标图案的轮廓包括在基于第一OPC模型的仿真中使用包括通过掩模规则检查(MRC)移位的片段的掩模数据,

在所分解的布局两侧生成所述内部边缘,以及

在所述分解的布局的两侧通过MRC移位所述内部片段。

8.如权利要求1所述的OPC方法,其中,确定是否执行所述提取所述目标图案的轮廓包括:

当所述EPE等于或大于设定的参考值时,或者当根据OPC模型执行仿真的次数不等于设定的次数的参考数时,确定执行提取所述目标图案的轮廓,以及

当所述EPE小于设定的参考值时,或者当根据OPC模型执行仿真的次数等于设定的次数的参考数时,确定执行提取目标图案的轮廓。

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