[发明专利]磁增强法拉第屏蔽结构及感应耦合等离子体源在审
| 申请号： | 201811102594.1 | 申请日： | 2018-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN110536530A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 李兴存 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H05H1/10 | 分类号： | H05H1/10;H05H1/24 |
| 代理公司： | 11218 北京思创毕升专利事务所 | 代理人： | 孙向民;廉莉莉<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 内层 法拉第屏蔽 磁增强 感应耦合线圈 容置空间 磁性件 屏蔽层 感应耦合等离子体源 功率耦合效率 化学腐蚀 介质窗 溅射 | ||
1.一种磁增强法拉第屏蔽结构，其特征在于，包括内层和套设于所述内层外侧的外层，所述内层和所述外层之间形成容置空间，所述容置空间内设有磁性件。
2.根据权利要求1所述的磁增强法拉第屏蔽结构，其特征在于，所述内层包括第一筒状主体以及在所述第一筒状主体的顶部和底部分别环绕形成的第一延伸部，所述第一延伸部沿所述第一筒状主体的径向向外设置；
所述外层包括第二筒状主体以及在所述第二筒状主体的顶部和底部分别环绕形成的第二延伸部，所述第二延伸部沿所述第二筒状主体的径向向内设置；
所述第一延伸部和所述第二延伸部相对接以使所述容置空间形成密闭空间。
3.根据权利要求1所述的磁增强法拉第屏蔽结构，其特征在于，所述外层、所述磁性件和所述内层三者的周向上均等间隔的设置有多个缝隙，且三者的缝隙的位置相对应。
4.根据权利要求3所述的磁增强法拉第屏蔽结构，其特征在于，每个所述缝隙均为长条形，每个所述缝隙的长度所在直线均与所述磁增强法拉第屏蔽结构的轴线平行。
5.根据权利要求1所述的磁增强法拉第屏蔽结构，其特征在于，所述内层和所述外层形成屏蔽主体，所述屏蔽主体的顶部和底部均设有固定部，所述固定部用于接地。
6.根据权利要求3所述的磁增强法拉第屏蔽结构，其特征在于，每个所述缝隙的宽度为0.5mm～1.5mm，多个所述缝隙占所述外层的外周壁的总面积的比例小于或等于35％。
7.根据权利要求1所述的磁增强法拉第屏蔽结构，其特征在于，所述内层和所述外层均由金属材料制成，且所述内层和所述外层的厚度范围均为0.5～5mm。
8.根据权利要求1所述的磁增强法拉第屏蔽结构，其特征在于，所述磁性件包括永磁体，所述永磁体为筒状。
9.一种感应耦合等离子体源，其特征在于，包括：
感应耦合线圈；以及
根据权利要求1-8中任意一项所述的磁增强法拉第屏蔽结构，所述磁增强法拉第屏蔽结构设于所述感应耦合线圈的径向内侧。
10.根据权利要求9所述的感应耦合等离子体源，其特征在于，所述磁增强法拉第屏蔽结构与所述感应耦合线圈同轴设置，且所述磁增强法拉第屏蔽结构与所述感应耦合线圈在径向上的间距大于或等于10mm。
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