[发明专利]一种闪存器的数据写入方法及闪存器

说明书

本发明公开了一种闪存器的数据写入方法及闪存器，所述一种闪存器包括：缓存寄存器，用于缓存单页大小的页数据；所述页数据所属的页类型为以下之一：低页LP、中页MP、高页UP；控制器，用于在一次编程过程中，控制页类型分别为所述LP、所述MP及所述UP的页数据从所述缓存寄存器移动至数据寄存器；以及，用于在所述数据寄存器存储了所述LP、所述MP及所述UP的页数据之后，将所述数据寄存器存储的页数据写入闪存阵列；所述数据寄存器，用于缓存从所述缓存寄存器中移动的不同页类型的所述页数据；所述闪存阵列，用于存储所述控制器写入的所述页数据。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种闪存器的数据写入方法及闪存器。

背景技术

在NAND闪存中，有缓存寄存器(Cache page buffer)和数据寄存器(Data pagebuffer)，数据写入先快速存储在缓存寄存器,然后再移动到数据寄存器，相关技术中，在将数据写入闪存器的物理阵列的一次编程过程中，仅能实现一次页数据从缓存寄存器到数据寄存器的移动，导致当编程写入物理阵列的数据页的数量为一个以上时，需要等待编程结束后，单独的进行页数据从缓存寄存器到数据寄存器的移动，使得数据写入到闪存阵列的效率低下，且编程没有连续性。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种闪存器的数据写入方法及闪存器，能够在一次编程过程中，实现将不同类型的页数据从缓存寄存器移动至数据寄存器的移动，保证了编程的连续性。

本发明实施例的技术方案是这样实现的：

本发明实施例提供了一种闪存器，包括：

缓存寄存器，用于缓存单页大小的页数据；所述页数据所属的页类型为以下之一：低页(Low page，LP)、中页(Middle page，MP)、高页(Upper page，UP)；

控制器，用于在一次编程过程中，控制页类型分别为所述LP、所述MP及所述UP的页数据从所述缓存寄存器移动至数据寄存器；

以及，用于在所述数据寄存器存储了所述LP、所述MP及所述UP的页数据之后，将所述数据寄存器存储的页数据写入闪存阵列；

所述数据寄存器，用于缓存从所述缓存寄存器中移动的不同页类型的所述页数据；

所述闪存阵列，用于存储所述控制器写入的所述页数据。

相应的，所述控制器，还用于在所述数据寄存器中存储有类型分别为所述LP、所述MP及所述UP的页数据之后，对所述数据寄存器存储的页数据进行编码转换，得到对应的不同状态位的状态编码；

其中，所述不同的状态位中包括用于指示页数据从所述缓存寄存器移动至所述数据寄存器的状态标识位。

上述方案中，所述控制器，还用于对所述数据寄存器存储的页数据进行编码转换之前，控制所述缓存寄存器中的页数据移动至所述数据寄存器，使得所述数据寄存器中存储的页数据的页类型包括所述LP、所述MP及所述UP。

上述方案中，所述控制器，还用于控制所述缓存寄存器中的页数据移动至所述数据寄存器之后，释放所述缓存寄存器，使得所述缓存寄存器继续存储依据特定类型排序写入的下一页页数据。

上述方案中，所述控制器，还用于在对所述数据寄存器存储的页数据进行编码转换之后，由高位到低位对所述不同状态位的状态编码循环依次进行校验，根据校验结果判断是否将所述缓存寄存器中的页数据移动至所述数据寄存器。

上述方案中，所述数据寄存器包括用于存储不同页类型的页数据的多个子数据寄存器，不同的所述状态标识位对应不同的子数据寄存器；

所述控制器，还用于在所述不同状态位中的所述状态标识位对应的状态编码校验通过时，控制所述缓存寄存器中的页数据移动至所述校验通过的状态标识位所对应的子数据寄存器。