[发明专利]半导体基板结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体基板结构，包括：

半导体元件基板，具有主动面以及位于所述主动面上的多个凹陷；以及

黏着组件，包括黏着层以及底膜，且所述黏着层填入所述多个凹陷中，以使所述半导体元件基板与所述黏着组件彼此接合，

其中所述半导体元件基板包括多个集成电路，所述多个集成电路中的每一个包括主动元件及后段内连线区，所述主动元件与所述后段内连线区电性连接，所述多个凹陷的深度小于所述多个集成电路的厚度，且所述多个凹陷的深度大于所述后段内连线区的厚度，所述多个凹陷的底面不超过所述主动元件的底面，其中相邻的所述多个集成电路之间具有所述多个凹陷的其中至少一个。

2.根据权利要求1所述的半导体基板结构，其中所述多个凹陷为多个孔洞。

3.根据权利要求1所述的半导体基板结构，其中所述多个凹陷为多个沟槽。

4.根据权利要求1所述的半导体基板结构，其中所述多个集成电路于所述主动面上的投影不重叠于所述多个凹陷于所述主动面上的投影。

5.根据权利要求1所述的半导体基板结构，其中所述半导体元件基板包括多个以阵列方式排列的集成电路。

6.根据权利要求1所述的半导体基板结构，其中所述半导体元件基板的尺寸大于或等于所述黏着组件的尺寸。

7.一种半导体基板结构的制造方法，包括：

提供半导体元件基板，具有主动面，其中所述半导体元件基板包括多个集成电路，所述多个集成电路中的每一个包括主动元件及后段内连线区，所述主动元件与所述后段内连线区电性连接；

形成多个凹陷于所述半导体基板的所述主动面上，其中所述多个凹陷的深度小于所述多个集成电路的厚度，且所述多个凹陷的深度大于所述后段内连线区的厚度，所述多个凹陷的底面不超过所述主动元件的底面，其中相邻的所述多个集成电路之间具有所述多个凹陷的其中至少一个；

提供黏着组件，包括黏着层以及底膜；以及

以所述黏着层面向所述主动面将所述黏着组件与所述半导体元件基板接合，且所述黏着层填入所述多个凹陷中。

8.根据权利要求7所述的半导体基板结构的制造方法，还包括：

将所述黏着组件与所述半导体元件基板接合之后，薄化所述半导体元件基板。

9.根据权利要求7所述的半导体基板结构的制造方法，其中薄化所述半导体元件基板的步骤包括：研磨所述半导体元件基板相对于所述主动面的表面。