[发明专利]闪存的数据存储方法及存储介质

说明书

本发明公开了一种闪存的数据存储方法及存储介质，该方法包括：闪存上电时，读取所述闪存中预先存储的校验数据，所述校验数据包含有所述闪存的正常列信息的分布规律；将从所述闪存中读取出来的校验数据与预设的多个数据存储规律模板进行匹配；确定出与所述闪存中读取出来的校验数据匹配成功的数据存储规律模板，并根据与所述闪存中读取出来的校验数据匹配成功的数据存储规律模板对所述闪存进行数据存储。本发明避免了数据存储后丢失或者损坏。

技术领域

本发明涉及闪存技术领域，尤其涉及一种闪存的数据存储方法及存储介质。

背景技术

现有的闪存中基本都存在有坏列(Bad column)，每颗闪存的坏列分布不同，每颗闪存的坏列的多少也不同，当需要存储数据时，不能识别哪些区是坏的，这样把数据直接存储进去，就有可能导致数据存储在坏区而丢失或者损坏。

目前，我们可以闪存上电后通过软件分析闪存的坏列分布情况，然后将这个坏列信息保存到闪存内。但关键问题是在每次闪存上电开始时不知道坏列的分布，也就无法将这个坏列信息读出来。现有的处理方法是，按照保存数据的最小单位(比如512字节)将闪存一个PAGE(闪存的读写单元)分为多个单元，寻址一块连续没有坏列的单元存放这个坏列表。如果找不到，那么这颗闪存将无法使用。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种闪存的数据存储方法，旨在避免数据存储在坏区丢失或者损坏。

为实现上述目的，本发明提供一种闪存的数据存储方法，所述闪存的数据存储方法包括以下步骤：

闪存上电时，读取所述闪存中预先存储的校验数据，所述校验数据包含有所述闪存的正常列信息的分布规律；

将从所述闪存中读取出来的校验数据与预设的多个数据存储规律模板进行匹配；

确定出与所述闪存中读取出来的校验数据匹配成功的数据存储规律模板，并根据与所述闪存中读取出来的校验数据匹配成功的数据存储规律模板对所述闪存进行数据存储。

可选地，所述数据存储规律模板为(X1…Xn)(Y1…Ym)…(X1…Xn)(Y1…Ym)，其中，所述X表示用于存储数据的地址位，n为地址位长度，所述Y表示空地址位，m为空地址位长度。

可选地，在执行所述闪存上电时，读取所述闪存中存储的校验数据，所述校验数据预先存储于闪存的正常地址中之前还包括：

测试获得闪存的正常列信息；

分析出所述正常列信息的分布规律；

将校验数据按照所述正常列信息的分布规律存入所述闪存中。

可选地，所述闪存预先划分为多个存储单元；

所述闪存上电时，读取所述闪存中存储的校验数据，所述校验数据预先存储于闪存的正常地址中具体为：闪存上电时，读取所述闪存的各预设存储单元中存储的校验数据，所述校验数据预先存储于闪存中各预设存储单元的正常地址中；

所述将从所述闪存中读取出来的校验数据与预设的多个数据存储规律模板进行匹配具体为：将从所述闪存的各预设存储单元中读取出来的校验数据与预设的多个数据存储规律模板进行匹配；

所述确定出与所述闪存中读取出来的校验数据匹配成功的数据存储规律模板，并根据与所述闪存中读取出来的校验数据匹配成功的数据存储规律模板对所述闪存进行数据存储具体为：确定出与所述闪存每一预设存储单元中读取出来的校验数据匹配成功的数据存储规律模板，并根据与所述闪存中读取出来的校验数据匹配成功的数据存储规律模板对所述闪存进行数据存储。

为实现上述目的，本发明提供一种存储介质，所述存储介质上设置有处理器以及存储有闪存的数据存储程序，所述闪存的数据存储程序被所述处理器执行时实现如上述的闪存的数据存储方法的步骤。