[发明专利]二维和三维位置感测系统及其传感器在审
申请号: | 201811221355.8 | 申请日: | 2010-06-16 |
公开(公告)号: | CN109387807A | 公开(公告)日: | 2019-02-26 |
发明(设计)人: | A·尤图库里;J·克拉克;斯蒂芬·麦克费德烟 | 申请(专利权)人: | 百安托国际有限公司 |
主分类号: | G01S3/782 | 分类号: | G01S3/782;G01S5/16;G01D5/34 |
代理公司: | 北京世峰知识产权代理有限公司 11713 | 代理人: | 卓霖;许向彤 |
地址: | 加拿大*** | 国省代码: | 加拿大;CA |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传感器 辐射源 感测系统 三维位置 线性阵列传感器 照射传感器 元件确定 孔板 阻挡 辐射 | ||
1.一种估计定位在感测区域中的辐射源的方向的方法,所述方法包括:
-提供二维辐射传感器,所述辐射传感器包括:
-第一线性阵列传感器,所述第一线性阵列传感器具有线性布置的多个第一传感器元件,所述第一传感器元件面对感测区域;
-第二线性阵列传感器,所述第二线性阵列传感器具有线性布置的多个第二传感器元件,所述第二传感器元件面对所述感测区域;
-孔板,所述孔板定位在所述第一线性阵列传感器和第二线性阵列传感器与所述感测区域之间以阻挡来自所述感测区域的辐射到达所述第一线性阵列传感器和第二线性阵列传感器;
-第一孔,所述第一孔形成于所述孔板中以允许来自所述感测区域的辐射到达所述第一传感器元件中的一个或多个;以及
-第二孔,所述第二孔形成于所述孔板中以允许来自所述感测区域的辐射到达所述第二传感器元件中的一个或多个;
-接收来自所述第一线性阵列传感器的第一强度信号,其中所述第一强度信号包括对应于通过所述第一孔入射在所述第一传感器元件上的辐射的第一强度值;
-接收来自所述第二线性阵列传感器的第二强度信号,其中所述第二强度信号包括对应于通过所述第二孔入射在所述第二传感器元件上的辐射的第二强度值;以及
-基于所述第一和第二强度信号确定所述方向,
其中:
-所述第一辐射强度信号包括超过第一阈值的、对应于第一传感器元件的范围的高强度值的第一范围;以及
-所述第二辐射强度信号包括超过第二阈值的、对应于第二传感器元件的范围的高强度值的第二范围;
并且其中确定所述方向包括:
-基于所述第一辐射强度信号中的所述高强度值的第一范围选择第一中心传感器元件;
-基于所述第二辐射强度信号中的所述高强度值的第二范围选择第二中心传感器元件;以及
-基于所述第一中心传感器元件和第二中心传感器元件确定方向。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一和第二辐射强度信号是模拟信号并且其中确定所述方向包括:
-将所述第一辐射强度信号转换成相应的第一最终辐射强度信号;
-将所述第二辐射强度信号转换成相应的第二最终辐射强度信号;以及
-基于所述第一和第二最终辐射强度信号确定所述方向。
3.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一和第二辐射强度信号是数字信号,并且其中所述第一和第二辐射强度信号的强度值分别对应于所述第一传感器元件中的每一个和所述第二传感器元件中的每一个,并且其中每个强度值具有高值或低值。
4.根据权利要求1所述的方法,包括在确定所述方向之前滤波所述第一和第二辐射强度信号以去除虚假值。
5.根据权利要求1所述的方法,其中确定所述方向包括在查找表中查找对应于所述第一辐射强度信号的第一角并且在查找表中查找对应于所述第二辐射强度信号的第二角。
6.根据权利要求1所述的方法,其中确定所述方向包括计算第一角并且计算第二角。
7.根据权利要求6所述的方法,还包括组合所述第一和第二角以确定所述方向。
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