[发明专利]基于压电压阻式宽频高场强微型电场传感器的生产工艺

权利要求书

1.一种基于压电压阻式宽频高场强微型电场传感器的生产工艺，包括硅基晶片加工步骤、玻璃加工步骤、组合装配步骤，其特征在于，

所述硅基晶片加工步骤中，包括刻蚀对准标记步骤、离子注入及激活步骤、腐蚀体硅步骤、释放欧姆接触区及薄膜表面步骤、蒸发电极步骤、暴露打线区域步骤，

所述玻璃加工步骤中，包括玻璃刻槽步骤、玻璃蒸发电极步骤、打线区域加厚步骤、玻璃穿孔步骤，

所述组合装配步骤中，包括阳极键合步骤、装配步骤、打线步骤，

所述硅基晶片加工步骤中，

刻蚀对准标记步骤中：利用光刻技术在硅基材料表面刻蚀对准标记；

离子注入及激活步骤中：选定合适的掺杂能量及掺杂剂量，使掺杂离子轰击器件硅实现半导体硅薄膜图形化的压阻部分掺杂，然后经过高温退火以激活离子掺杂区；

腐蚀体硅步骤中：以二氧化硅作硬掩模湿法腐蚀体硅，暴露部分埋氧层，形成可自由振动的薄膜区域；

释放欧姆接触区及薄膜表面步骤中：刻蚀器件硅表面氧化硅，暴露出压阻掺杂欧姆接触区域以及自由振动薄膜区域；

蒸发电极步骤中：在器件硅表面图形化金属电极，构成惠斯通桥的电路连接；

暴露打线区域步骤中：刻蚀体硅及器件硅，暴露中间夹层玻璃上的金属打线区域，方便后期打线，

所述玻璃加工步骤中，

玻璃刻槽步骤中：在中间夹层玻璃表面湿法刻蚀浅槽；

玻璃蒸发电极步骤中：在中间夹层玻璃表面的浅槽内图形化蒸发金属电极，实现器件硅上电极的引出；

打线区域加厚步骤中：沉积金属，加厚中间夹层玻璃上的金属打线区域；

玻璃穿孔步骤中：利用喷砂刻蚀或激光刻蚀方式在中间夹层玻璃上图形化穿孔，

所述组合装配步骤中，

阳极键合步骤中：利用阳极键合方式，将中间夹层玻璃上表面与SOI的器件硅表面键合；

装配步骤中：将切割成型的合适尺寸的块状压电晶体装入中间夹层玻璃的穿孔中，并将衬底玻璃键合至中间夹层玻璃上；

打线步骤中：从金属打线区域上引出金属线。