[发明专利]工艺气体传输装置、原子层沉积方法及沉积设备有效
申请号: | 201811252068.3 | 申请日: | 2018-10-25 |
公开(公告)号: | CN111101116B | 公开(公告)日: | 2023-08-18 |
发明(设计)人: | 纪红;史小平;兰云峰;赵雷超;秦海丰;张文强 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/52 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 施敬勃 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 工艺 气体 传输 装置 原子 沉积 方法 设备 | ||
1.一种工艺气体传输装置,用于向工艺腔室内传输工艺气体进行原子层沉积工艺,其特征在于,所述工艺气体传输装置包括:
至少两个工艺气体源;
至少两个供气管路,每个所述供气管路连接在所述工艺腔室和对应的所述工艺气体源之间;所述至少两个工艺气体源交替地通过各自对应的所述供气管路向所述工艺腔室内通入所述工艺气体,所述工艺气体包括前驱体;
其中,每个所述供气管路均包括并联的至少两个供气支路,各所述供气支路用于选择性地将所述工艺气体源和所述工艺腔室连通;
各所述供气支路上均串接有开关阀,用以控制对应的供气支路的通断,其中:
在进行原子层沉积工艺的过程中,处于供气状态的所述工艺气体源对应的各所述开关阀处在打开状态,以使所述工艺气体源对应的并联的至少两个供气支路处于通路状态,以用于降低工艺气体在相应的供气管路中的滞留来增加单次进入到工艺腔室的前驱体输入量。
2.根据权利要求1所述的工艺气体传输装置,其特征在于,所述供气管路还包括前段供气管路和后段供气管路;
所述前段供气管路包括前段入口和至少两个前段出口,所述前段入口与所述工艺气体源连接,各所述前段出口与对应的所述供气支路连接;
所述后段供气管路包括后段出口和至少两个后段入口,所述后段入口与对应的所述供气支路连接,所述后段出口与所述工艺腔室连接。
3.根据权利要求1所述的工艺气体传输装置,其特征在于,所述工艺气体传输装置还包括:
至少两个稀释气体源;
至少两个稀释管路,每个所述稀释管路均连接在对应的所述稀释气体源和所述供气管路之间;
至少两个第一气体流量计,每个所述第一气体流量计均串接在对应的所述稀释管路上。
4.根据权利要求3所述的工艺气体传输装置,其特征在于,所述工艺气体传输装置还包括:
至少两个进气管路,每个所述进气管路的出口均与对应的所述工艺气体源连接;
至少两个载气源;
至少两个载气管路,每个所述载气管路的入口均与对应的所述载气源连接,每个所述载气管路的出口均与对应的所述进气管路的入口连接;
至少两个第二气体流量计,每个所述第二气体流量计均串接在对应的所述载气管路上。
5.根据权利要求4所述的工艺气体传输装置,其特征在于,所述工艺气体传输装置还包括至少两个载气旁路和至少两个三通阀;其中,
每个所述载气旁路的第一端均与对应的所述稀释管路连接;
每个所述三通阀的第一端均与对应的所述载气旁路的第二端连接,每个所述三通阀的第二端均与对应的所述载气管路的出口连接,每个所述三通阀的第三端均与对应的所述进气管路的入口连接。
6.一种原子层沉积方法,其特征在于,采用权利要求1至5中任意一项所述的工艺气体传输装置,所述沉积方法包括依次执行的外循环沉积步骤以及工艺循环沉积步骤;
所述外循环沉积步骤具体包括:
步骤S110、其中一个所述工艺气体源中的第一前驱体经由对应的所述供气管路进入所述工艺腔室;
步骤S120、对所述工艺腔室抽真空;
步骤S130、吹扫所述工艺腔室以及传输所述第一前驱体的所述供气管路;
步骤S140、判断循环次数是否达到所述外循环沉积步骤的预设的循环次数,若是,执行所述工艺循环沉积步骤,若否,执行步骤S110;
所述工艺循环沉积步骤具体包括:
步骤S150、其中一个所述工艺气体源中的所述第一前驱体经由对应的所述供气管路进入所述工艺腔室;
步骤S160、吹扫所述工艺腔室以及传输所述第一前驱体的所述供气管路;
步骤S170、另外一个所述工艺气体源中的第二前驱体经由对应的所述供气管路进入所述工艺腔室;
步骤S180、吹扫所述工艺腔室以及传输所述第二前驱体的所述供气管路;
步骤S190、判断循环次数是否达到所述工艺循环沉积步骤的预设的循环次数,若是,则结束沉积工艺,若否,则执行步骤S150。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方华创微电子装备有限公司,未经北京北方华创微电子装备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811252068.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的