[发明专利]一种UV模具版光刻制作工艺

权利要求书

1.一种UV模具版光刻制作工艺，其特征在于：包括如下步骤：

S1、提供一掩膜版，所述掩膜版为三层结构，包括上层光学高分子PC复合板材、下层中性UV光刻胶和将其两者粘接在一起的中间第一密着层；所述光刻胶通过光刻曝光形成纳米图纹；

S2、提供一UV母模，所述母模为三层结构，包括上层中性UV固体胶、下层PC板材和将其两者粘接在一起的中间第二密着层；

S3、将所述掩膜版放置于所述UV母模上，通过EVA紫外直射在光学高分子PC复合板材上对中性UV固体胶进行光刻，形成阴影区；

S4、取出UV母模，对UV母模进行显影脱水；

S5、坚膜。

2.根据权利要求1所述的UV模具版光刻制作工艺，其特征在于：在步骤S1中，具体包括如下步骤：

S11、提供一光学高分子PC复合板材；

S12、在所述光学高分子PC复合板材上涂抹第一密着层，通过自然流平方式使第一密着层平铺至整个光学高分子PC复合板材上；

S13、待所述第一密着层晾干后，在其上涂抹中性UV光刻胶，通过旋转甩平方式将中性UV光刻胶平铺在第一密着层上；

S14、进行烘烤固化；

S15、通过光刻直写掩膜机对中性UV光刻胶进行光刻，再通过显影、坚膜形成纳米图案。

3.根据权利要求2所述的UV模具版光刻制作工艺，其特征在于：在步骤S14中，将涂抹处理后的所述光学高分子PC复合板材置于100-110℃中烘烤10-25min，进行固化，使各层之间紧密连接。

4.根据权利要求1所述的UV模具版光刻制作工艺，其特征在于：所述UV光刻胶由中性UV油、光刻胶和助剂按照4:5:1的比例混合而成。

5.根据权利要求1所述的UV模具版光刻制作工艺，其特征在于：在步骤S4中，对UV母模进行显影脱水具体步骤为：

S41、将所述UV母模倾斜放入一显影槽内进行浸泡显影，所述显影槽内设有显影液；

S42、静置一段时间，再通过一喷头进行水洗UV母模；

S43、重复步骤S41-S42，直至显示出相应的图案。

6.根据权利要求5所述的UV模具版光刻制作工艺，其特征在于：所述显影液包括氢氧化钠、助剂和活性水。

7.根据权利要求1所述的UV模具版光刻制作工艺，其特征在于：在步骤S5中，所述坚膜采用烘烤坚膜方式，烘烤温度为100-110℃，烘烤时间为15-30min。