[发明专利]一种抑制芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种抑制芯片，其特征在于，其包括：

第一导电类型的第一衬底，

自所述第一衬底的上表面向下形成的多个第一沟槽，

形成在所述第一沟槽的内壁及所述第一衬底的上表面的第一导电类型的第一扩散区，

第二导电类型的第二衬底，

自所述第二衬底的下表面向上形成的多个第二沟槽，所述第二沟槽之间形成多个凸柱，所述凸柱用于与所述第一沟槽配合，

形成在所述第二沟槽的内壁及所述凸柱的上表面的第二导电类型的第二扩散区，

所述第一衬底与第二衬底通过所述第一沟槽与所述凸柱键合使第一扩散区与第二扩散区接触，

形成在所述第二衬底的上表面的第二导电类型的外延层，

形成在所述外延层的上表面的第一导电类型的第三扩散区，

形成在所述第一衬底的下表面的第一金属层，

形成在所述第三扩散区的上表面的第二金属层。

2.根据权利要求1所述的抑制芯片，其特征在于：多个第一沟槽垂直于所述第一衬底设置，多个第二沟槽垂直于所述第二衬底设置。

3.根据权利要求1所述的抑制芯片，其特征在于：所述第一扩散区和所述第二扩散区的形状均为矩形波。

4.根据权利要求1所述的抑制芯片，其特征在于：所述第一扩散区、所述第二扩散区及所述第三扩散区的离子浓度均大于外延层的离子浓度。

5.根据权利要求1所述的抑制芯片，其特征在于：所述第一金属层和所述第二金属层材质均为铝或铜。

6.根据权利要求1所述的抑制芯片，其特征在于：所述抑制芯片还包括形成在所述第一金属层上的第一电极，形成在所述第二金属层上的第二电极。

7.一种抑制芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、先准备第一导电类型的第一衬底、第二导电类型的第二衬底，在所述第一衬底的上表面刻蚀形成多个第一沟槽，自所述第二衬底的下表面向上形成多个第二沟槽，所述第二沟槽之间形成多个凸柱，所述凸柱用于与所述第一沟槽配合；

S2、在所述第一衬底的上表面和所述第一沟槽的内壁形成第一扩散区，在所述第二衬底的下表面和所述第二沟槽的内壁形成第二扩散区；

S3、所述第一衬底与第二衬底通过所述第一沟槽与所述凸柱键合,使所述第一扩散区与所述第二扩散区接触；

S4、在所述第二衬底的上表面形成第一导电类型的外延层；

S5、在所述外延层的上表面形成第一导电类型的第三扩散区，在所述第一衬底的下表面形成第一金属层，在所述第三扩散区的上表面形成第二金属层。

8.根权利要求7所述抑制芯片的制备方法，其特征在于，在步骤S2中，在所述第一扩散区和所述第二扩散区的表面形成氧化层，再通过湿法刻蚀去除该氧化层。

9.根权利要求7所述抑制芯片的制备方法，其特征在于，在步骤S1中刻蚀为干法刻蚀。

10.根权利要求7所述抑制芯片的制备方法，其特征在于，所述第一扩散区的长度和所述第二扩散区的长度相等。