[发明专利]由碳化硅长晶剩料制备高纯碳材料的方法有效
| 申请号： | 201811302578.7 | 申请日： | 2018-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN109437148B | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 李霞;高超;梁晓亮;宁秀秀;李加林;宗艳民 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/05 | 分类号： | C01B32/05 |
| 代理公司： | 济南千慧专利事务所(普通合伙企业) 37232 | 代理人： | 吴绍群 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 长晶剩料 制备 高纯 材料 方法 | ||
1.由碳化硅长晶剩料制备高纯碳材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、将碳化硅长晶剩料中的块状碳化硅多晶去除，获得含有碳颗粒的粗料；
S2、将所述含有碳颗粒的粗料中剩余的碳化硅多晶通过分解升华的方式去除，收集剩余的所述含有碳颗粒的粗料即为高纯碳材料;
所述分解升华的反应在采用物理气相传输法进行碳化硅长晶坩埚中进行，使用位于所述坩埚顶部的种晶吸附所述分解升华的气体结晶；
步骤S1中，还包括对所述含有碳颗粒的粗料进行匀质化处理的步骤;
所述分解升华的反应条件为：压强5-50 mbar、温度2000-2500℃;
在所述坩埚中，所述含有碳颗粒的粗料与所述坩埚容积之比为(0.2-0.8):1;
在所述坩埚中，所述含有碳颗粒的粗料中碳化硅与碳的质量比为(0.05-1):1。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述种晶为碳材料或碳化硅材料。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述种晶为石墨纸。
4.如权利要求1 所述的方法，其特征在于：所述分解升华的反应时间为：5-50 h。
5.如权利要求1 所述的方法，其特征在于：所述分解升华的反应是在氢气和惰性气体保护下进行的；
所述惰性气体为氩气、氦气及其他稀有气体中的一种或多种混合气体。
6.如权利要求1 所述的方法，其特征在于：在所述坩埚中，所述含有碳颗粒的粗料与所述坩埚顶部的距离为20-150 cm。
7.权利要求1-6中任一项所述的方法中得到的所述高纯碳材料在制备保温材料中的应用。
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