[发明专利]半导体器件和制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

将第一半导体器件和第二半导体器件附接至第一晶圆；

形成与所述第一半导体器件和所述第二半导体器件相邻的第一中介层通孔，其中，在自顶向下视图中，所述第一中介层通孔呈中介层鳍的形状，并且在所述第一半导体器件和所述第二半导体器件的相对侧上延伸横跨所述第一半导体器件和所述第二半导体器件；

通过去除所述第一半导体器件和所述第二半导体器件的部分来暴露衬底通孔；

在所述第一中介层通孔周围施加介电材料；

分割所述第一晶圆以形成第一封装件和第二封装件；

将所述第一封装件和所述第二封装件附接至载体晶圆，其中，第二中介层通孔位于所述载体晶圆上；

用密封剂密封所述第一封装件、所述第二封装件和所述第二中介层通孔；

减薄所述密封剂以暴露所述衬底通孔；以及

在所述密封剂上方形成再分布结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，附接所述第一半导体器件和所述第二半导体器件形成混合接合。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：在附接所述第一半导体器件之后并且在形成所述第一中介层通孔之前减薄所述第一半导体器件。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在施加所述介电材料之前实施暴露所述衬底通孔。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，在施加所述介电材料之后实施暴露所述衬底通孔。

6.根据权利要求5所述的方法，还包括：在暴露所述衬底通孔之后，在所述衬底通孔周围施加第二介电材料。

7.根据权利要求6所述的方法，还包括：将所述第二介电材料平坦化为与所述介电材料共面。

8.一种制造半导体器件的方法，包括：

将第一管芯和第二管芯附接至第一晶圆，所述第一管芯包括第一衬底通孔；

减薄所述第一管芯和所述第二管芯而不暴露所述第一衬底通孔；

在减薄所述第一管芯和所述第二管芯之后，在所述第一晶圆上形成第一中介层通孔；

在所述第一管芯、所述第二管芯和所述第一中介层通孔周围施加介电材料；

分割所述第一晶圆以形成第一封装件和第二封装件；

用密封剂密封所述第一封装件、所述第二封装件和第二中介层通孔；

减薄所述密封剂以暴露所述第一衬底通孔；

在减薄所述密封剂之后，使所述第一管芯的部分和所述第二管芯的部分凹进，使得所述第一管芯和所述第二管芯的凹进部分与相应的所述介电材料形成凹槽；

将第二介电材料施加至所述凹槽中；以及

在所述第二介电材料上方形成再分布结构。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，在密封所述第一封装件、所述第二封装件和所述第二中介层通孔之前，将所述第一封装件和所述第二封装件附接至聚合物层。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括：形成穿过所述聚合物层的开口。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括：通过所述聚合物层中的开口将第三封装件附接至所述第二中介层通孔。

12.根据权利要求8所述的方法，其中，附接所述第一管芯和所述第二管芯至少部分地通过混合接合工艺来实施。

13.根据权利要求8所述的方法，其中，通过将所述第一管芯的第一接合金属接合至所述第一晶圆的第二接合金属来实施附接所述第一管芯，其中，所述第一接合金属位于第一金属化层内。

14.根据权利要求8所述的方法，还包括：平坦化所述第二介电材料至少直至所述第二介电材料与所述介电材料共面。