[发明专利]一种光刻胶及光刻胶图案的制作方法在审
申请号: | 201811351459.0 | 申请日: | 2018-11-14 |
公开(公告)号: | CN109270791A | 公开(公告)日: | 2019-01-25 |
发明(设计)人: | 刘明;左岳平;孟秋华;王纯阳;方飞 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/004 | 分类号: | G03F7/004;G03F7/00 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光刻胶 光刻胶图案 感光单元 制作 光刻胶技术 大误差 光照量 坡度角 | ||
本发明实施例提供一种光刻胶及光刻胶图案的制作方法,涉及光刻胶技术领域,能够解决相关技术中由于光刻胶顶部与底部接受光照量不同而造成的光刻胶坡度角较小,进而造成Mask CD与FICD之间存在较大误差的问题。所述光刻胶包括多个感光单元,每个感光单元均具有磁性。本发明用于光刻胶图案的制作。
技术领域
本发明涉及光刻胶技术领域,尤其涉及一种光刻胶及光刻胶图案的制作方法。
背景技术
光刻胶(Photo Resist,PR)也称光致抗蚀剂,是一种光敏材料,它受到光照后特性会发生改变,光刻胶主要用来将光刻掩膜板上的图形转移到晶圆片上。光刻胶有正胶和负胶之分。正胶经过曝光后,受到光照的部分变得容易溶解,经过显影后被溶解,只留下未受光照的部分形成图形;而负胶却恰恰相反,经过曝光后,受到光照的部分会变得不易溶解,经过显影后,留下光照部分形成图形。
现有技术中光刻胶在进行曝光时,由于光照设备一般位于光刻胶顶部上方,光照是从光刻胶的顶部向下照射,这样导致光刻胶顶部的感光剂受到的光照量较多,而光刻胶底部的感光剂受到的光照量较少,这样在进行显影后,光刻胶的坡度角会较小,进而会造成Mask CD(Critical Dimension,关键尺寸)与FICD(最后检查关键尺寸)之间存在较大误差,不利于关键尺寸的控制。
发明内容
本发明的实施例提供一种光刻胶及光刻胶图案的制作方法,能够解决相关技术中由于光刻胶顶部与底部接受光照量不同而造成的光刻胶坡度角较小,进而造成Mask CD与FICD之间存在较大误差的问题。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
一方面,本发明实施例提供一种光刻胶,包括:多个感光单元,每个所述感光单元均具有磁性。
可选的,所述感光单元通过感光材料与磁性离子发生化学反应形成。
可选的,所述感光单元通过感光材料包裹磁性材料形成。
可选的,所述磁性材料为磁性纳米颗粒。
可选的,所述磁性纳米颗粒为纳米微球或量子点微球。
可选的,所述磁性离子为铁离子或镍离子。
另一方面,本发明实施例提供一种光刻胶图案的制作方法,所述制作方法包括:在基底上涂覆如上述任意一种所述的光刻胶;向所述光刻胶添加磁场,以使所述光刻胶底部的感光单元的含量大于所述光刻胶顶部的感光单元的含量;对所述光刻胶进行曝光和显影,以形成所述光刻胶图案。
可选的,所述向所述光刻胶添加磁场具体为:在形成有所述光刻胶的基底的下方或上方设置磁力件,利用所述磁力件控制所述光刻胶中的感光单元的分布。
可选的,所述磁力件为磁铁。
可选的,在基底上涂覆所述光刻胶后,所述制作方法还包括:对所述光刻胶进行前烘处理;所述向所述光刻胶添加磁场具体为:在对所述光刻胶进行前烘处理之前向所述光刻胶添加磁场,或在对所述光刻胶进行前烘处理的过程中向所述光刻胶添加磁场。
本发明实施例提供的光刻胶及光刻胶图案的制作方法,所述光刻胶包括多个感光单元,每个感光单元均具有磁性。相较于现有技术,本发明实施例提供的光刻胶通过设置其内部的感光单元具有磁性,这样可以通过外加磁场来控制光刻胶内感光单元的分布,使得光刻胶中底部感光单元的含量大于顶部,这样在曝光过程中,底部感光单元的增多使其在相对较低的光强下可以实现较大的曝光范围,从而能够增大显影后的光刻胶的坡度角,减小Mask CD与FICD的误差,利于工艺中关键尺寸的控制。
附图说明
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