[发明专利]嵌入式晶圆级球栅阵列封装中的天线

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供第一衬底；

在所述第一衬底上面形成第一地平面；

提供第二衬底；

在所述第二衬底上面形成第二地平面；

提供第三衬底；

在所述第三衬底上面形成第一天线和第二天线；

邻近半导体管芯来设置第一衬底和第二衬底，其中第一衬底在第二衬底的占用空间外部；

将第三衬底设置在第一衬底、第二衬底和半导体管芯上面，其中第一天线在第一地平面上面并且第二天线在第二地平面上面；并且

将第一天线和第二天线耦合到所述半导体管芯。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括形成通过第一衬底并且电耦合至所述第一天线和半导体管芯的导电通孔。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

将第一衬底、第二衬底、第三衬底和半导体管芯设置在载体上；以及

将封装剂沉积在载体、第一衬底、第二衬底、第三衬底和半导体管芯上。

4.根据权利要求3所述的方法，进一步包括：

移除载体；并且

在移除所述载体之后，在封装剂、第一衬底、第二衬底和半导体管芯上形成重新分布层。

5.根据权利要求4所述的方法，其中通过第一衬底将第一天线耦合到半导体管芯，并且通过第二衬底将第二天线耦合到半导体管芯。

6.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供包括第一天线结构的第一部分的第一衬底；

提供包括第二天线结构的第一部分的第二衬底；

邻近第一衬底和第二衬底来设置半导体管芯，其中所述第一衬底在所述第二衬底的占用空间外部；

提供包括第一天线结构的第二部分和第二天线结构的第二部分的第三衬底；

在第一衬底和第二衬底上面设置第三衬底；

将封装剂沉积在第一衬底、第二衬底、第三衬底和半导体管芯上面；以及

在封装剂上面形成导电层以将半导体管芯耦合至第一天线结构和第二天线结构。

7.根据权利要求6所述的方法，其中该第一天线结构的第一或第二部分包括反射器、定向器或地平面。

8.根据权利要求6所述的方法，其中该第一天线结构的第一部分包括地平面或反射器，并且该第一天线结构的第二部分包括贴片天线。

9.根据权利要求6所述的方法，进一步包括在第二衬底上面形成第一天线结构的第三部分。

10.一种半导体器件，包括：

包括第一天线结构的第一部分的第一衬底；

包括第二天线结构的第一部分的第二衬底；

邻近第一衬底和第二衬底设置的半导体管芯；

设置在第一衬底和第二衬底上面的第三衬底，其中所述第三衬底包括第一天线结构的第二部分和第二天线结构的第二部分；

在第一衬底、第二衬底、第三衬底和半导体管芯上沉积的封装剂；以及

在封装剂、第一衬底、第二衬底和半导体管芯上形成的重新分布层。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中该第一衬底的厚度与第二衬底的厚度不同。

12.根据权利要求10所述的半导体器件，进一步包括通过第一衬底形成的导电通孔，其中所述第一天线结构的第二部分通过导电通孔来电耦合到半导体管芯。