[发明专利]基板处理方法和基板处理装置

权利要求书

1.一种基板处理方法，包括：

基板保持工序，将基板保持为水平；

第一处理液供给工序，向所述基板的上表面供给含有溶质和具有挥发性的溶剂的第一处理液；

保持层形成工序，向所述基板的下表面供给第一热介质，经由所述基板加热所述基板上的所述第一处理液，使所述溶剂的至少一部分挥发，由此使所述第一处理液固化或硬化，在所述基板的上表面形成颗粒保持层；

保持层去除工序，通过向所述基板的上表面供给剥离所述颗粒保持层的剥离液，将所述颗粒保持层从所述基板的上表面剥离并去除；

液膜形成工序，将所述颗粒保持层从所述基板上去除之后，通过向所述基板的上表面供给含有升华性物质的第二处理液，形成覆盖所述基板的上表面的所述第二处理液的液膜；

固化工序，向所述基板的下表面供给第二热介质，经由所述基板将所述液膜冷却至所述升华性物质的融点以下的温度，由此使所述液膜在所述基板上固化来形成固体膜；

升华工序，使所述固体膜升华来从所述基板上去除；

温度保持工序，通过向所述基板的下表面供给第三热介质，在所述液膜形成工序中停止供给所述第二处理液之后，将所述液膜的温度保持为所述升华性物质的融点以上且小于所述升华性物质的沸点的温度范围；

薄膜化工序，在所述液膜的温度处于所述温度范围的期间，将构成所述液膜的所述第二处理液的一部分从所述基板的上表面去除，使所述液膜变薄。

2.一种基板处理方法，包括：

基板保持工序，将基板保持为水平；

第一处理液供给工序，向所述基板的上表面供给含有溶质和具有挥发性的溶剂的第一处理液；

保持层形成工序，向所述基板的下表面供给第一热介质，经由所述基板加热所述基板上的所述第一处理液，使所述溶剂的至少一部分挥发，由此使所述第一处理液固化或硬化，在所述基板的上表面形成颗粒保持层；

保持层去除工序，通过向所述基板的上表面供给剥离所述颗粒保持层的剥离液，将所述颗粒保持层从所述基板的上表面剥离并去除；

液膜形成工序，将所述颗粒保持层从所述基板上去除之后，通过向所述基板的上表面供给含有升华性物质的第二处理液，形成覆盖所述基板的上表面的所述第二处理液的液膜；

固化工序，向所述基板的下表面供给第二热介质，经由所述基板将所述液膜冷却至所述升华性物质的融点以下的温度，由此使所述液膜在所述基板上固化来形成固体膜；

升华工序，使所述固体膜升华来从所述基板上去除；

挡板配置工序，在所述第一处理液供给工序中，在所述基板的侧方配置挡板；

接近配置工序，在所述保持层形成工序中，将具有与所述基板的上表面相对的相对面的相对构件配置于与所述基板的上表面接近的接近位置，

所述液膜形成工序包括：

送液工序，经由第二处理液配管向设置于所述相对构件的所述相对面的喷出口输送所述第二处理液；

喷出工序，从所述喷出口向所述基板的上表面喷出所述第二处理液；

吸引工序，在所述喷出工序结束之后，吸引所述第二处理液配管内的所述第二处理液。

3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，还包括：

处理液配管温度保持工序，将所述第二处理液配管的温度保持为所述升华性物质的融点以上且小于所述升华性物质的沸点的管理温度范围。