[发明专利]基于高灵敏高耐压光耦合芯片模块的封装结构在审

专利信息
申请号: 201811493322.9 申请日: 2018-12-07
公开(公告)号: CN109449149A 公开(公告)日: 2019-03-08
发明(设计)人: 全庆霄;姜岩峰;张巧杏;袁野;王辉 申请(专利权)人: 无锡豪帮高科股份有限公司
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L21/67;H01L21/56
代理公司: 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 代理人: 赵海波;曹键
地址: 214000 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 三极管 金属引线框架 封装结构 耦合芯片 压光 灵敏 灵敏控制 芯片 电阻 集成电路 生产产品 生产效率 无源器件 源器件 锡膏 银胶 焊接 粘贴 保证
【权利要求书】:

1.一种基于高灵敏高耐压光耦合芯片模块的封装结构,其特征在于它包括金属引线框架,金属引线框架上通过锡膏焊接有源器件和无源器件,金属引线框架上通过银胶粘贴芯片;

芯片中有一个芯片具有光灵敏控制集成电路,光灵敏控制集成电路中包括第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管、第一电阻以及第二电阻;

其中:第一三极管和第四三极管是PNP晶体管,

第二三极管和第三三极管是NPN晶体管,

其中:第一三极管、第二三极管和第一电阻组成正半周电路,第四三极管、第三三极管和第二电阻组成负半周电路,正半周电路和负半周电路头尾相连构成了整个电路,第一三极管、第二三极管、第四三极管、第三三极管形成一个逆时针的回路,第一电阻连接于第二三极管的发射极和基极之间,第二电阻连接于第三三极管的发射极和基极之间;

其中:第一三极管的集电极连接第二三极管的基极,第二三极管的基极连接第一三极管的基极,该电路接交流电压。

2.根据权利要求1所述的一种基于高灵敏高耐压光耦合芯片模块的封装结构,其特征在于有源器件为分立器件或者集成电路,无源器件为电阻、电感或者电容,分立器件为二极管、三极管、MOS管或者可控硅。

3.根据权利要求1所述的一种基于高灵敏高耐压光耦合芯片模块的封装结构,它采用一种基于高灵敏高耐压光耦合芯片模块的封装结构的生产流水线进行生产,一种基于高灵敏高耐压光耦合芯片模块的封装结构的生产流水线从前至后依次包括引线框架上料装置(101)、钢网印刷装置(102)、第一AOI自动光学检测装置(103)、有源器件安装装置(104)、无源器件安装装置(105)、回流焊装置(106)、第二AOI自动光学检测装置(107)、芯片安装装置(108)、第一烘烤装置(109)、键合装置(110)、塑封装置(111)、第二烘烤装置(112)、打标装置(113)、电镀装置(114)、成型切筋装置(115)、外观检测包装装置(116)。

4.根据权利要求3所述的一种基于高灵敏高耐压光耦合芯片模块的封装结构,回流焊装置(106)启用时内部充满氮气保护。

5.根据权利要求1所述的一种基于高灵敏高耐压光耦合芯片模块的封装结构,其特征在于它的生产方法如下:

步骤一、引线框架上料装置(101)将引线框架上料;

步骤二、钢网印刷装置(102)通过钢网在引线框架上进行印刷;

步骤三、第一AOI自动光学检测装置(103)对钢网印刷后的金属引线框架进行检测;

步骤四、有源器件安装装置(104)在金属引线框架上安装有源器件;

步骤五、有源器件安装装置(105)在金属引线框架上安装有源器件;

步骤六、在回流焊装置(106)内将安装有缘器件的金属引线框架进行回流焊,在此过程中回流焊装置(106)内保持氮气保护,通过氮气保护的回流焊装置,使有源器件与金属框架紧密粘接;

步骤七、第二AOI自动光学检测装置(107)对回流焊完成的金属引线框架进行检测;有不合格之处记录至数据库,该处不进行后续芯片安装作业;

步骤八、芯片安装装置(108)将芯片在金属引线框架上进行安装,根据芯片的多少,芯片安装装置(108)可以设置有多组或者一组;

步骤九、第一烘烤装置(109)将粘贴芯片的金属引线框架进行烘烤;

步骤十、键合装置(110)对上述步骤完成的中间品进行键合作业;

步骤十一、塑封装置(111)对上述步骤完成的中间品进行塑封作业;

步骤十二、第二烘烤装置(112)对上述步骤完成的中间品进行烘烤作业;

步骤十三、打标装置(113)对上述步骤完成的中间品进行打标作业;

步骤十四、电镀装置(114)对上述步骤完成的中间品进行电镀作业;

步骤十五、成型切筋装置(115)对上述步骤完成的中间品进行成型切筋作业;

步骤十六、外观检测包装装置(116)对上述步骤完成的中间品进行外观检测和包装作业。

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