[发明专利]基于高灵敏高耐压光耦合芯片模块的封装结构

说明书

本发明涉及的一种基于高灵敏高耐压光耦合芯片模块的封装结构，其特征在于它包括金属引线框架，金属引线框架上通过锡膏焊接有源器件和无源器件，金属引线框架上通过银胶粘贴芯片。芯片中有一个芯片具有光灵敏控制集成电路，光灵敏控制集成电路中包括第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管、第一电阻以及第二电阻；其中：第一三极管和第四三极管是PNP晶体管，第二三极管和第三三极管是NPN晶体管。本发明的一种基于高灵敏高耐压光耦合芯片模块的封装结构具有提高生产效率，降低生产成本，保证生产产品质量的优点。

技术领域

本发明涉及一种基于高灵敏高耐压光耦合芯片模块的封装结构。

背景技术

传统的SIP集成电路封装结构一般单独采用一级封装或者二级封装中的一种形式进行生产。

一级封装，是指元器件和多种芯片在金属引线框架上做的封装，芯片通过银胶安装在引线框架上。

二级封装，是指各种元器件和集成电路，通过SMT方式焊接在线路板上。SMT是表面组装技术(表面贴装技术)(Surface Mount Technology的缩写)，称为表面贴装或表面安装技术。是目前电子组装行业里最流行的一种技术和工艺。SMT是一种将无引脚或短引线表面组装元器件(简称SMC/SMD，中文称片状元器件)安装在印制电路板(Printed CircuitBoard，PCB)的表面或其它基板的表面上，通过回流焊或浸焊等方法加以焊接组装的电路装连技术。PCB板精度不够不符合摩尔定律，二级封装存在散热困难的缺陷。

一级封装多个半导体芯片和元器件在金属框架上封装都是采用装片银胶的方式，粘接在金属框架上。

而二级封装是采用锡膏将各种元器件和集成电路及接口焊接在线路板上的。

装片银胶工艺性能好，导电性能散热性能也相当优异。但是，在多种元器件封装时，有源器件如MOS，无源器件如电阻电容，和硅材料的芯片封装在同一封装体内时，0.05mm²焊接尺寸的电阻电容采用1mm级别的硅芯片的银胶装片工艺时，速度慢、精度低。

传统的多芯片封装结构中的光耦电路中的光接收电路，具有驱动电流小、驱动能力弱的特点，电路结构复杂。

发明内容

本发明的目的在于克服上述不足，提供提高生产效率，降低生产成本，保证生产产品质量的一种基于高灵敏高耐压光耦合芯片模块的封装结构，且内部的光耦电路中的光接收电路具有驱动电流大、驱动能力强的特点，该该电路可直接连接220V的交流电压，简化了电路结构。

本发明的目的是这样实现的：

一种基于高灵敏高耐压光耦合芯片模块的封装结构，它包括金属引线框架，金属引线框架上通过锡膏焊接有源器件和无源器件，金属引线框架上通过银胶粘贴芯片。

芯片中有一个芯片具有光灵敏控制集成电路，光灵敏控制集成电路中包括第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管、第一电阻以及第二电阻；

其中：第一三极管和第四三极管是PNP晶体管，

第二三极管和第三三极管是NPN晶体管，

其中：第一三极管、第二三极管和第一电阻组成正半周电路，第四三极管、第三三极管和第二电阻组成负半周电路，正半周电路和负半周电路头尾相连构成了整个电路，第一三极管、第二三极管、第四三极管、第三三极管形成一个逆时针的回路，第一电阻连接于第二三极管的发射极和基极之间，第二电阻连接于第三三极管的发射极和基极之间；

其中：第一三极管的集电极连接第二三极管的基极，第二三极管的基极连接第一三极管的基极，该电路接交流电压。

有源器件为分立器件或者集成电路，无源器件为电阻、电感或者电容，分立器件为二极管、三极管、MOS管或者可控硅。