[发明专利]具有多个功能的图像传感器及包括其的图像传感器模块在审

专利信息
申请号: 201811502055.7 申请日: 2018-12-10
公开(公告)号: CN110191294A 公开(公告)日: 2019-08-30
发明(设计)人: 李泰渊;李贵德;石井胜;任东模 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H04N5/369 分类号: H04N5/369;H04N5/335;H04N5/225
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 王新宇
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 光电转换器 发生电路 像素 图像传感器 图像传感器模块 双带通滤波器 第二传感器 第一传感器 第二信号 目标对象 水平表面 配置 波长 光源 发射光 竖直 反射
【权利要求书】:

1.一种图像传感器,包括:

基板;

第一传感器像素,所述第一传感器像素包括在所述基板上位于第一水平处的第一信号发生电路,以及第一光电转换器,所述第一光电转换器连接到所述第一信号发生电路,并且被配置为从自具有第一波长的光获得的第一信号生成第一信息;以及

第二传感器像素,所述第二传感器像素包括在所述基板上位于第一水平处的第二信号发生电路,以及第二光电转换器,所述第二光电转换器连接到所述第二信号发生电路,与所述第一光电转换器竖直地重叠,并且被配置为从自具有第二波长的光获得的第二信号生成与所述第一信息不同的第二信息,

其中所述第一光电转换器的水平表面面积不同于所述第二光电转换器的水平表面面积。

2.如权利要求1所述的图像传感器,其中所述第一波长和所述第二波长是选自近红外范围的不同波长。

3.如权利要求1所述的图像传感器,其中所述第一光电转换器的所述水平表面面积大于所述第二光电转换器的所述水平表面面积,

其中所述第一传感器像素进一步被配置为从具有约940nm波长的光生成第一目标对象的深度信息,

其中所述第二传感器像素进一步被配置为从具有约810nm波长的光生成第二目标对象的虹膜信息,并且

其中所述第二光电转换器通过在竖直方向上延伸穿过所述基板的通孔电极连接到所述第二信号发生电路。

4.如权利要求1所述的图像传感器,其中所述第一光电转换器的所述水平表面面积小于所述第二光电转换器的所述水平表面面积,

其中所述第一传感器像素进一步被配置为从具有约810nm波长的光生成第一目标对象的虹膜信息,

其中所述第二传感器像素进一步被配置为从具有约940nm波长的光生成第二目标对象的深度信息,并且

其中所述第二光电转换器通过在竖直方向上延伸穿过所述基板的通孔电极连接到所述第二信号发生电路。

5.如权利要求1所述的图像传感器,其中所述第一信号发生电路和所述第二信号发生电路与所述第二光电转换器间隔开,其间具有所述基板。

6.如权利要求1所述的图像传感器,其中所述基板与所述第二光电转换器间隔开,其间具有所述第一信号发生电路和所述第二信号发生电路。

7.如权利要求1所述的图像传感器,其中所述第一光电转换器包括多个第一光电二极管,并且其中所述多个第一光电二极管连接到一个第一信号发生电路。

8.如权利要求1所述的图像传感器,其中所述第二光电转换器包括光电二极管,并且其中所述光电二极管被配置为在入射在所述光电二极管上的光中使具有所述第一波长的光通过并且吸收具有所述第二波长的光。

9.如权利要求1所述的图像传感器,其中所述第二光电转换器包括光电二极管,所述光电二极管包括有机膜。

10.如权利要求1所述的图像传感器,其中所述第一光电转换器包括所述基板中的第一光电二极管。

11.如权利要求1所述的图像传感器,其中所述第一光电转换器位于所述基板与所述第二光电转换器之间。

12.如权利要求1所述的图像传感器,其中所述第一光电转换器包括第一光电二极管,所述第一光电二极管包括量子点光吸收层。

13.如权利要求1所述的图像传感器,其中所述第二传感器像素还包括延伸穿过所述第一光电转换器的通孔电极,以将所述第二光电转换器连接到所述第二信号发生电路。

14.如权利要求1所述的图像传感器,其中所述第一光电转换器的水平表面面积是所述第二光电转换器的水平表面面积的四倍。

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