[发明专利]带引脚封装、无引脚封装的功率模块及其对应加工方法在审

专利信息
申请号: 201811507982.8 申请日: 2018-12-11
公开(公告)号: CN109449150A 公开(公告)日: 2019-03-08
发明(设计)人: 王琇如;张俊尧 申请(专利权)人: 杰群电子科技(东莞)有限公司
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L23/495;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/48
代理公司: 北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11638 代理人: 王新爱
地址: 523000 广东省东莞*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 功率模块 高散热膜 散热 绝缘 加工 无引脚封装 功率元件 引脚 封装 散热部件 物理特性 性能设计 封装胶 高韧性 良品率 散热片 制程 申请 生产
【说明书】:

本申请实施例公开了带引脚封装、无引脚封装的功率模块及其对应加工方法,该功率模块包括散热片、功率元件、封装胶和高散热膜;将高散热膜作为最靠近功率元件的散热部件,利用高散热膜的散热、绝缘和高韧性的物理特性,将散热和绝缘集成在一个部件上实现,同时具备良好的加工适应性,该功率模块通过对应的加工方法生产,其通过与高散热膜实现功率模块的散热、绝缘和加工等各方面的性能设计,提高抗热震能力,减少制程缺陷,提高了良品率,相同功率下产品的厚度更小。

技术领域

本申请实施例涉及半导体领域,尤其涉及带引脚封装、无引脚封装的功率模块及其对应加工方法。

背景技术

IPM(Intelligent Power Module),即智能功率模块,不仅把功率开关器件和驱动电路集成在一起。而且还内部集成有过电压,过电流和过热等故障检测电路,并可将检测信号送到CPU。它由高速低功耗的管芯和优化的门极驱动电路以及快速保护电路构成。即使发生负载事故或使用不当,也可以保证IPM自身不受损坏。IPM中的功率半导体元件多采用IGBT(绝缘栅双极型晶体管,Insulated Gate Bipolar Transistor)和/或MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管,Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),内部集成电流传感器及驱动电路的集成结构。IPM以其高可靠性,使用方便赢得越来越大的市场,尤其适合于驱动电机的变频器和各种逆变电源,是变频调速,冶金机械,电力牵引,伺服驱动,变频家电的一种非常理想的电力电子器件。

现有的智能功率模块电子元件的高度集成,如图1所示,从结构上主要包括引脚201、塑封料202、半导体功率元件203、绝缘陶瓷层205和散热片204,该结构的智能功率模块在生产中容易发生因部件缺点如低韧性,抗热震能力较差,容易发生结构缺陷,使产品出现高压击穿、导热失效、结构强度异常等问题。

发明内容

本申请提供了带引脚封装、无引脚封装的功率模块及其对应加工方法,以提供一种结构稳定性良好的设计方案,提高抗热震能力,减少制程缺陷,提高良品率。

第一方面提供一种带引脚封装的功率模块,包括:散热片、功率元件、导线架、封装胶和第一高散热膜;

所述第一高散热膜贴附于所述散热片的第一侧与所述导线架的第二侧之间,所述功率元件设置于所述导线架的第一侧组成功率电路,所述导线架与所述功率电路电连接;

所述封装胶包覆所述散热片的第二侧之外的区域,所述散热片的第二侧与所述散热片的第一侧为相对的两侧;所述导线架的引脚的末端延伸至所述封装胶之外。

其中,还包括第二高散热膜;

所述第二高散热膜贴附于所述导线架的第一侧,所述导线架的第二侧与所述导线架的第一侧为相对的两侧。

其中,所述第二高散热膜设置有黄光电路,所述功率元件通过所述黄光电路组成功率电路。

其中,所述第一高散热膜为高分子热塑型散热膜。

第二方面提供一种无引脚封装的功率模块,包括:导线架、功率元件、封装胶和第三高散热膜;

所述第三高散热膜填充于所述导线架的架间空隙,所述功率元件设置于所述导线架的第一侧组成功率电路,所述导线架与所述功率电路电连接;

所述封装胶包覆所述导线架的第一侧。

第三方面提供一种带引脚封装的功率模块的加工方法,包括:

步骤S101:提供导线架和散热片;

步骤S102:在所述导线架的第二侧和散热片的第一侧之间贴附第一高散热膜;

步骤S103:在所述导线架的第一侧安装功率元件,所述导线架的第二侧与所述导线架的第一侧为相对的两侧;

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