[发明专利]半导体存储器装置有效
申请号: | 201811508134.9 | 申请日: | 2018-12-11 |
公开(公告)号: | CN110838492B | 公开(公告)日: | 2023-09-26 |
发明(设计)人: | 孙昌万;申铉守;全哉垠;黄盛炫 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H10B41/35 | 分类号: | H10B41/35;H10B43/35;H01L23/50;G11C5/06 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 刘久亮;黄纶伟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 存储器 装置 | ||
1.一种半导体存储器装置,该半导体存储器装置包括:
多条位线,所述多条位线设置在存储器单元上方;以及
多条第一布线和多条第二布线,所述多条第一布线和所述多条第二布线沿着第二方向交替地设置在所述位线上方,并且在弯曲成锯齿形的同时在与所述第二方向交叉的第一方向上延伸。
2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置,其中,所述位线沿着所述第二方向设置,并在所述第一方向上延伸。
3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置,该半导体存储器装置还包括:
支撑所述存储器单元的源极板;以及
设置在基板上方、所述源极板下方的逻辑电路,
其中,所述第一布线与所述逻辑电路电联接,并且所述第二布线与所述源极板电联接。
4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置,其中,接地电压被供应给所述第一布线,并且源极电压被供应给所述第二布线。
5.根据权利要求1所述的半导体存储器装置,
其中,各条所述第一布线在沿所述第二方向彼此背离的一个表面和另一表面中的每一个上包括多个凸部和多个凹部,
其中,设置在各条第一布线的一个表面上的凸部沿着所述第一方向与设置在面向各条第一布线的所述一个表面的相邻第一布线的一个表面上的凹部对齐,并且
其中,设置在各条第一布线的另一表面上的凸部沿着所述第一方向与设置在面向各条第一布线的所述另一表面的相邻第一布线的另一表面上的凹部对齐。
6.根据权利要求1所述的半导体存储器装置,
其中,各条所述第二布线在沿所述第二方向彼此背离的一个表面和另一表面中的每一个上包括多个凸部和多个凹部,
其中,设置在各条第二布线的一个表面上的凸部沿着所述第一方向与设置在面向各条第二布线的所述一个表面的相邻第二布线的一个表面上的凹部对齐,并且
其中,设置在各条第二布线的另一表面上的凸部沿着所述第一方向与设置在面向各条第二布线的所述另一表面的相邻第二布线的另一表面上的凹部对齐。
7.根据权利要求1所述的半导体存储器装置,其中,所述第一布线和所述第二布线中的每一条包括裂缝抑制结构,
其中,所述裂缝抑制结构包括将所述第一布线和所述第二布线中的每一条划分为多条子布线的狭缝。
8.根据权利要求7所述的半导体存储器装置,其中,所述狭缝在弯曲成锯齿形的同时在所述第一方向上延伸。
9.一种半导体存储器装置,该半导体存储器装置包括:
平面,该平面设置在单元区域中,并且包括多个存储器单元;
多条位线,所述多条位线沿着与第一方向交叉的第二方向设置在所述平面上方,并且在所述第一方向上延伸;
多条布线,所述多条布线沿着所述第二方向设置在所述位线上方,并且在弯曲成锯齿形的同时在所述第一方向上延伸;以及
多个接触焊盘,所述多个接触焊盘分别联接到位于所述单元区域的边缘处的布线的凸部。
10.根据权利要求9所述的半导体存储器装置,其中,位于所述单元区域的所述边缘处的所述布线的所述凸部暴露于所述单元区域的外部,并且所述接触焊盘设置在所述单元区域外部。
11.根据权利要求9所述的半导体存储器装置,
其中,所述多条布线包括沿着所述第二方向交替地设置的多条第一布线和多条第二布线,并且
其中,所述接触焊盘联接到位于所述单元区域的所述边缘处的第一布线。
12.根据权利要求11所述的半导体存储器装置,该半导体存储器装置还包括:
源极板,该源极板支撑所述平面,并且电联接到所述第二布线;
逻辑电路,该逻辑电路设置在基板上方、所述源极板下方;以及
多个触点,所述多个触点将所述多个接触焊盘和所述逻辑电路电联接。
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