[发明专利]半导体存储器装置有效

专利信息
申请号: 201811508134.9 申请日: 2018-12-11
公开(公告)号: CN110838492B 公开(公告)日: 2023-09-26
发明(设计)人: 孙昌万;申铉守;全哉垠;黄盛炫 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: H10B41/35 分类号: H10B41/35;H10B43/35;H01L23/50;G11C5/06
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 刘久亮;黄纶伟
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 存储器 装置
【说明书】:

一种半导体存储器装置,该半导体存储器装置包括:多条位线,其沿着与第一方向交叉的第二方向设置在存储器单元上方;以及多条第一布线和多条第二布线,其沿着第二方向交替地设置在位线上方,并且在弯曲成锯齿形的同时在第一方向上延伸。

技术领域

发明的各种实施方式总体上涉及半导体存储器装置,更具体地,涉及一种具有改进的布线结构的半导体存储器装置,其允许增强的集成度和性能以及较低的功耗。

背景技术

近年来,随着采用存储器装置的信息通信装置的多功能性和容量增加,存储器装置趋向于更大的容量和更高的集成度。随着存储器单元的尺寸缩小以便于获得更高的集成度,包括在存储器装置中以用于存储器装置的操作和电联接的操作电路和布线的结构变得更复杂并且成为改进存储器装置的努力中的潜在瓶颈。因此,在本领域中由于改进的布线结构而具有改进的集成度和优异的电特性的存储器装置将是非常可取的。

发明内容

本发明的各种实施方式提供一种具有改进的布线结构的半导体存储器装置,其允许增强的集成度和性能以及较低的功耗。

在实施方式中,一种半导体存储器装置可包括:多条位线,其沿着与第一方向交叉的第二方向设置在存储器单元上方;以及多条第一布线和多条第二布线,其沿着第二方向交替地设置在位线上方,并且在弯曲成锯齿形的同时在第一方向上延伸。

在实施方式中,一种半导体存储器装置可包括:平面,其设置在单元区域中,并且包括多个存储器单元;多条位线,其沿着与第一方向交叉的第二方向设置在所述平面上方,并且在第一方向上延伸;多条布线,其沿着第二方向设置在位线上方,并且在弯曲成锯齿形的同时在第一方向上延伸;以及多个接触焊盘,其分别联接到位于单元区域的边缘处的布线的凸部。

在实施方式中,一种半导体存储器装置可包括:多个平面,其各自包括多个存储器单元;多条位线,其沿着与第一方向交叉的第二方向设置在所述平面上方,并且在第一方向上延伸;以及多条第一布线和多条第二布线,其沿着第二方向交替地设置在位线上方,并且在弯曲成锯齿形的同时在第一方向上延伸。

在实施方式中,一种半导体存储器装置包括:多条位线,其设置在存储器单元上方;以及多条第一布线和多条第二布线,其沿着第二方向交替地设置在位线上方并且在弯曲成锯齿形的同时在第一方向上延伸。第一布线和第二布线中的每一条包括裂缝抑制结构。

对于本发明所属领域的普通技术人员而言,本发明的这些和其它特征和优点将从以下结合附图的示例性实施方式的详细描述变得清楚。

附图说明

图1是示出根据本公开的实施方式的半导体存储器装置的示例性配置的框图。

图2是示出图1所示的多个存储块中的一个的示例性配置的等效电路图。

图3是示意性地示出图1所示的半导体存储器装置的示例性配置的布局图。

图4是示意性地示出图3所示的半导体存储器装置的示例性配置的立体图。

图5是示出根据本公开的实施方式的半导体存储器装置的示例性配置的横截面图。

图6是示意性地示出根据本公开的实施方式的半导体存储器装置的示例性配置的俯视图。

图7是示出位线与第一布线和第二布线之间的布局关系的示例性配置的俯视图。

图8是示出第一布线和第二布线的结构的示例性配置的俯视图。

图9是示出图6的部分A的放大俯视图。

图10是示出根据本公开的实施方式的半导体存储器装置的第一布线和第二布线的示例性配置的俯视图。

图11是示意性地示出根据本公开的实施方式的半导体存储器装置的示例性配置的俯视图。

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