[发明专利]显示装置

权利要求书

1.一种显示装置，该显示装置包括：

基板，该基板具有显示区和弯曲区；

第一薄膜晶体管，该第一薄膜晶体管设置在所述显示区中，所述第一薄膜晶体管具有第一半导体层；

第二薄膜晶体管，该第二薄膜晶体管设置在所述显示区中，所述第二薄膜晶体管具有第二半导体层；

多个接触孔，所述多个接触孔设置在所述显示区中；

至少一个开口，该至少一个开口设置在所述弯曲区中，所述至少一个开口具有与所述接触孔中的至少一个相同的深度；

基准线，该基准线与所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管中的一个连接；以及

低电位供给线，该低电位供给线包括与所述基准线交叠的部分，

其中，所述低电位供给线的与每个子像素相邻设置的部分与所述基准线交叠。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

所述第一薄膜晶体管包括第一栅电极、第一源电极和第一漏电极，所述第一栅电极被设置成与所述第一半导体层交叠，所述第一源电极被设置成通过第一源极接触孔与所述第一半导体层接触，并且所述第一漏电极被设置成通过第一漏极接触孔与所述第一半导体层接触，

所述第二薄膜晶体管包括第二栅电极、第二源电极和第二漏电极，所述第二栅电极被设置成与所述第二半导体层交叠，所述第二源电极被设置成通过第二源极接触孔与所述第二半导体层接触，并且所述第二漏电极被设置成通过第二漏极接触孔与所述第二半导体层接触，并且

所述第一源电极和所述第二源电极形成在与所述第一漏电极和所述第二漏电极相同的平面中，并且由与所述第一漏电极和所述第二漏电极相同的材料制成。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述至少一个开口包括：

第一开口，该第一开口的深度与所述第二源极接触孔和所述第二漏极接触孔的深度相同；以及

第二开口，该第二开口的深度比所述第一源极接触孔和所述第一漏极接触孔的深度大。

4.根据权利要求3所述的显示装置，该显示装置还包括：

上层间介电膜，该上层间介电膜设置在所述第二源电极和所述第二漏电极中的每一个和所述第二半导体层之间；以及

下栅极介电膜、第一下层间介电膜、第二下层间介电膜和上缓冲层，该下栅极介电膜、第一下层间介电膜、第二下层间介电膜和上缓冲层依次层叠在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间，其中，

所述第一源极接触孔和所述第一漏极接触孔是穿过所述下栅极介电膜、所述第一下层间介电膜、所述第二下层间介电膜、所述上缓冲层和所述上层间介电膜形成的，以便暴露所述第一半导体层，并且

所述第二源极接触孔和所述第二漏极接触孔是穿过所述上层间介电膜形成的，以便暴露所述第二半导体层。

5.根据权利要求4所述的显示装置，该显示装置还包括：

多缓冲层，该多缓冲层设置在所述基板上；以及

下缓冲层，该下缓冲层设置在所述多缓冲层上，其中，

所述第一开口是穿过设置在所述弯曲区中的所述上层间介电膜形成的，

所述第二开口是穿过设置在所述弯曲区中的所述多缓冲层、所述下缓冲层、所述下栅极介电膜、所述第一下层间介电膜、所述第二下层间介电膜和所述上缓冲层形成的，并且

所述弯曲区中的所述基板通过所述第一开口和所述第二开口暴露。

6.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一源电极和所述第二源电极形成在与所述第一漏电极和所述第二漏电极相同的平面中，即，在所述上层间介电膜上，并且由与所述第一漏电极和所述第二漏电极相同的材料制成。

7.根据权利要求4所述的显示装置，该显示装置还包括：

存储下电极，该存储下电极设置在所述下栅极介电膜上；以及

存储上电极，该存储上电极与所述存储下电极在其间设置有所述第一下层间介电膜的状态下交叠。

8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述存储下电极形成在与所述第一薄膜晶体管的所述第一栅电极相同的平面中，并且由与所述第一栅电极相同的材料制成。