[发明专利]一种低反射率的低辐射镀膜玻璃及其制备方法

权利要求书

1.一种低反射率的低辐射镀膜玻璃，包括玻璃基层及设置于所述玻璃基层一侧的镀膜层，其特征在于，所述镀膜层包括自所述玻璃基层的一侧依次向外设置的第一介质层、第一保护层、功能层、第二保护层及第二介质层；

所述第一介质层与所述第二介质层的厚度比为1.6～3.0：1；所述第一保护层与所述第二保护层的厚度比为1：1.5～2.5，所述第一介质层为SiNx层，厚度为48nm～120nm；所述第二介质层为SiNx层，厚度为23nm～50nm；其中，SiNx中x的范围是0.5～1.33；所述第一保护层为NiCr层，厚度为1.5nm～5nm；所述第二保护层为NiCr层，厚度为2.3nm～10nm；所述功能层为Ag层，所述Ag层的厚度为5nm～15nm。

2.如权利要求1所述的低反射率的低辐射镀膜玻璃，其特征在于，所述第一保护层、所述功能层及所述第二保护层构成的金属层厚度小于28nm。

3.如权利要求1至2任意一项所述的低反射率的低辐射镀膜玻璃，其特征在于，所述低反射率的低辐射镀膜玻璃还包括第一结合层和/或第二结合层，所述第一结合层设于所述第一保护层与所述第一介质层之间，所述第二结合层设于所述第二保护层与所述第二介质层之间。

4.如权利要求3所述的低反射率的低辐射镀膜玻璃，其特征在于，所述第一结合层为AZO层，厚度为4nm～8nm，和/或所述第二结合层为AZO层，厚度为4nm～8nm。

5.一种低反射率的低辐射镀膜玻璃的制备方法，用于制备如权利要求1至4任意一项所述的低反射率的低辐射镀膜玻璃，其特征在于，该制备方法包括：在真空环境下用靶材对玻璃基层表面进行真空磁控溅射，依次溅射形成第一介质层、第一保护层、功能层、第二保护层及第二介质层，从而形成镀膜层；所述第一介质层与所述第二介质层的厚度比为1.6～3.0：1；所述第一保护层与所述第二保护层的厚度比为1：1.5～2.5。

6.如权利要求5所述的低反射率的低辐射镀膜玻璃的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：

在所述第一保护层与所述第一介质层之间进行真空溅射形成第一结合层；和/或，

在所述第二保护层与所述第二介质层之间进行真空溅射形成第二结合层。

7.如权利要求6所述的低反射率的低辐射镀膜玻璃的制备方法，其特征在于，

在该制备方法中，由硅铝靶磁控溅射形成SiNx层，所述硅铝靶的硅铝重量比为9:1；由AZO陶瓷靶磁控溅射形成AZO层，所述AZO陶瓷靶是由ZnO_X、AlO_X烧制而成的具有陶瓷功能的金属氧化物靶材；由镍铬靶磁控溅射形成NiCr层，所述镍铬靶的镍铬重量比为8:2；由银靶磁控溅射形成Ag层，所述银靶的银纯度为99.999％；其中，所述银靶、所述镍铬靶为平面靶，所述硅铝靶、所述AZO陶瓷靶为旋转靶。

8.如权利要求7所述的低反射率的低辐射镀膜玻璃的制备方法，其特征在于，

所述硅铝靶的溅射功率为15～70Kw，溅射形成SiNx层的溅射氛围是氩氮气氛，氩和氮的体积比是1：1，溅射气压为2～5*10^-3mbar；

所述AZO陶瓷靶的溅射功率为1～30Kw，溅射形成AZO层的溅射氛围是纯氩气氛，溅射气压为2～5*10^-3mbar；

所述镍铬靶的溅射功率为1～20Kw，溅射形成所述NiCr层的溅射氛围是纯氩气氛，溅射气压为2～5*10^-3mbar；

所述银靶的溅射功率为1～20Kw，溅射形成Ag层的溅射氛围是纯氩气氛，溅射气压为2～5*10^-3mbar。