[发明专利]一种低反射率的低辐射镀膜玻璃及其制备方法

说明书

本发明公开一种低反射率的低辐射镀膜玻璃及其制备方法，其中，所述低反射率的低辐射镀膜玻璃包括玻璃基层，及设置于所述玻璃基层一侧的镀膜层，所述镀膜层包括自所述玻璃基层的一侧依次向外设置的第一介质层、第一保护层、功能层、第二保护层及第二介质层；通过控制第一介质层与所述第二介质层的厚度比为1.6～3.0：1，第一保护层与所述第二保护层的厚度比为1：1.5～2.5，有效降低了低辐射镀膜玻璃的反射率，该低反射率的低辐射镀膜玻璃合成中空玻璃后的室外反射率低于7.5％。

技术领域

本发明涉及玻璃技术领域，特别涉及一种低反射率的低辐射镀膜玻璃及其制备方法。

背景技术

随着玻璃幕墙在高层建筑中的大规模应用，符合节能环保要求的低辐射镀膜玻璃(Low-E玻璃)备受推崇。低辐射镀膜玻璃具有良好的隔热性能和遮阳性能，既能满足室内采光的要求，又能阻隔太阳辐射进入室内，减少室内空调的荷载。然而，目前低辐射镀膜玻璃(Low-E玻璃)的反射率普遍较高，因此造成建筑玻璃的镜面反光现象十分严重，使得光污染成为继废气、废水、废渣和噪声等污染之后的一种新的环境污染源。

发明内容

本发明的主要目的是提出一种低反射率的低辐射镀膜玻璃，通过控制膜层比例来降低低辐射镀膜玻璃的反射率。

为实现上述目的，本发明提出的低反射率的低辐射镀膜玻璃，包括玻璃基层及设置于所述玻璃基层一侧的镀膜层，所述镀膜层包括自所述玻璃基层的一侧依次向外设置的第一介质层、第一保护层、功能层、第二保护层及第二介质层；所述第一介质层与所述第二介质层的厚度比为1.6～3.0：1；所述第一保护层与所述第二保护层的厚度比为1：1.5～2.5。

优选地，所述第一介质层为SiNx层，厚度为48nm～120nm；所述第二介质层为SiNx层，厚度为23nm～50nm；其中，SiNx中x的范围是0.5～1.33。

优选地，所述第一保护层为NiCr层，厚度为1.5nm～5nm；所述第二保护层为NiCr层，厚度为2.3nm～10nm。

优选地，所述功能层为Ag层，所述Ag层的厚度为5nm～15nm。

优选地，所述第一保护层、所述功能层及所述第二保护层构成的金属层厚度小于28nm。

优选地，所述低反射率的低辐射镀膜玻璃还包括第一结合层和/或第二结合层，所述第一结合层设于所述第一保护层与所述第一介质层之间，所述第二结合层设于所述第二保护层与所述第二介质层之间。

优选地，所述第一结合层为AZO层，厚度为4nm～8nm，和/或所述第二结合层为AZO层，厚度为4nm～8nm。

本发明还提出一种低反射率的低辐射镀膜玻璃的制备方法，用于制备如上述的低反射率的低辐射镀膜玻璃，该制备方法包括：在真空环境下用靶材对玻璃基层表面进行真空磁控溅射，依次溅射形成第一介质层、第一保护层、功能层、第二保护层及第二介质层，从而形成镀膜层；所述第一介质层与所述第二介质层的厚度比为1.6～3.0：1；所述第一保护层与所述第二保护层的厚度比为1：1.5～2.5。

优选地，所述制备方法还包括：

在所述第一保护层与所述第一介质层之间进行真空溅射形成第一结合层；和/或，

在所述第二保护层与所述第二介质层之间进行真空溅射形成第二结合层。

优选地，在该制备方法中，由硅铝靶磁控溅射形成SiNx层，所述硅铝靶的硅铝重量比为9:1；由AZO陶瓷靶磁控溅射形成AZO层，所述AZO陶瓷靶是由ZnO_X、AlO_X烧制而成的具有陶瓷功能的金属氧化物靶材；由镍铬靶磁控溅射形成NiCr层，所述镍铬靶的镍铬重量比为8:2；由银靶磁控溅射形成Ag层，所述银靶的银纯度为99.999％；其中，所述银靶、所述镍铬靶为平面靶，所述硅铝靶、所述AZO陶瓷靶为旋转靶。