[发明专利]一种高线性度微波混频器

权利要求书

1.一种高线性度微波混频器，其特征在于，包括:跨导级单元、开关级单元和负载级单元；

所述跨导级单元用以提高线性度;所述开关级单元偏置在最佳的开关状态;所述负载级单能够增大带宽并能提高增益;差分中频信号经过跨导级单元的放大，在开关级单元与本征信号进行混频，最后差分射频信号在负载级单元和开关级单元之间输出。

2.如权利要求1所述一种高线性度微波混频器，其特征在于，所述跨导级单元包括主路跨导和辅路跨导；所述主路跨导由差分NMOS管M1、NMOS管M2、电阻R1、电阻R2、电感U、电感L2和电容C1、电容C2构成电容交叉耦合共栅级结构；所述主路跨导NMOS管M1源极分别接电感L1，以及中频信号的正输入端，NMOS管M2源极分别接电感L2,以及中频信号的负输入端，NMOS管M1栅极分别通过R1电阻接偏置电压Vm，通过 电容C2连接NMOS管跑的源极，NMOS管M2栅极分别通过R2电阻接偏置电压Vm，通过电容C2连接NMOS管M1的源极，形成电容交叉耦合共栅极结构。

3.如权利要求2所述一种高线性度微波混频器，其特征在于，所述电感L1 =电感L2、电容C2 =电容C1。

4.如权利要求3所述所述一种高线性度微波混频器，其特征在于，所述辅路跨导由差分NMOS管M3、NMOS管M4、电阻R3、电阻R4、电感L3、电感L4和电容C3、电容C4构成加载源退化电感的 共源极结构；所述NMOS管M3和NMOS管M4源极分别接电感L3和电感L4,NMOS管M3栅极分别通过电阻R3接 偏置电SVa，通过电容C3连接中频信号的负输入端，NMOS管M4栅极分别通过电阻R4接偏置电压乂3，通过电容C4连接中频信号的正输入端，NMOS管M3漏极连接至NMOS管施的漏极，NMOS管M4 漏极连接至NMOS管M2的漏极。

5.如权利要求4所述一种高线性度微波混频器，其特征在于，所述电感L3 =电感L4;电容C1=电容C2 =电容C3 =电容C4。

6.如权利要求1所述一种高线性度微波混频器，其特征在于，所述开关级单元包括四个NMOS管M5-NMOS管M8和两个电阻Rs、电阻R6;NMOS管M5和NMOS管M8栅极互联接本征信号的负输入端，通过电阻R5接偏置电压Vg，NMOS管M6和NMOS管M7栅极互联接本振信号的正输入端，通过电阻R6接偏置电压Vg，NMOS管M5和NMOS管M6源极互联接输入跨导级的NMOS管M1和NMOS管M3的漏极，NMOS管M7和NMOS管M8源极互相联接输入跨导级的NMOS管M2和NMOS管M4的漏极，NMOS管M5和NMOS管M7的漏极互联，NMOS管M6和NMOS管M8的漏极互联。

7.如权利要求1所述一种高线性度微波混频器，其特征在于，所述负载级单元包括两个电感L5和L6,电感L5—端接电源电压VDD，另一端与NMOS管MdPNMOS管M7的漏极连接并作为混频器的射频正输出端，电感L6—端接电源电压VDD，另一端与NMOS管M6和NMOS管M8连接并作为混频器的射频负输出端。