[发明专利]用于钝化接触结构的预扩散片及其制备方法和应用

权利要求书

1.用于钝化接触结构的预扩散片，其特征在于，包括钝化接触基体和结合于钝化接触基体表面内的掺杂预扩散层，掺杂预扩散层的掺杂物质扩散入钝化接触基体表面内不同深度，具有预扩散层的钝化接触结构的方阻90Ω/sq；

所述的预扩散片的制备方法，步骤包括：

（1）钝化接触基体置于退火炉中，通入掺杂物质源进行高温扩散处理；

（2）然后去除浮于钝化接触基体表面的杂质层、掺杂物质富集层；

（3）最后清洗表面；

或者步骤（1）为在钝化接触基体表面涂覆一层掺杂物质源，后将钝化接触基体置于退火炉中高温退火；

所述步骤（1）中掺杂物质源中磷源为POCl₃，硼源为BBr₃；

所述钝化接触基体为单晶硅片，所述掺杂物质为磷、硼中的至少一种；

在所述预扩散片表面集成隧穿氧钝化接触结构、非掺杂异质结结构中的一种；

预扩散隧穿氧钝化接触结构钝化结构的制备方法：将预扩散片表面清洗干净，接着依次制备一层超薄氧化硅、一层n型或p型掺杂的非晶或多晶硅薄膜，最后进行高温退火；

预扩散非掺杂异质结钝化结构的制备方法：将预扩散片表面清洗干净，接着用PECVD法在表面依次沉积一层本征非晶硅、低功函数材料或高功函数材料；最后沉积一层透明导电膜ITO，低/高功函数材料是金属、金属氧化物、金属氟化物，只要其功函数满足要求即可。

2.如权利要求1所述的预扩散片的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中涂覆掺杂物质源的方法为喷涂、旋涂、打印、印刷中的一种。

3.权利要求1或2所述的预扩散片在太阳电池中的应用。