[发明专利]靶材的处理方法

说明书

一种靶材的处理方法，包括：提供靶材以及清洗液，所述清洗液为化学溶剂；将所述靶材放入所述清洗液浸泡处理。使用化学方法处理所述靶材，使所述靶材与所述清洗液发生化学反应，从而所述靶材表面的残留物会被溶解在所述清洗液中，从而达到去除所述靶材表面残留的目的，所述处理过程简单方便，减小能耗。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别涉及一种靶材的处理方法。

背景技术

磁控溅射是电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞，电离出大量的氩原子和电子，电子飞向基片，氩离子在电场的作用下加速轰击溅射基台上的靶材组件上的靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶材原子(或分子)沉积在基板上成膜，而最终达到对基板表面镀膜的目的。

靶材组件是由符合溅射性能的靶材、与靶材焊接连接的背板构成。背板在靶材组件中起支撑作用，并具有传导热量的功效。

由于所述靶材昂贵，往往要对上述磁控溅射后的剩余靶材进行重熔，由于所述靶材的内部分子与所述背板的内部分子会相互渗透，所以当对靶材与背板进行分离后，所述靶材表面还具有所述背板材料的残留，所以，进行重熔前要对所述靶材表面的残留进行处理，以保障重熔后靶材的质量；现有技术中用机加工的方式去除所述靶材表面的残留；然而，这种去除方法耗费的时间长，效率低。

因此，急需一种方法，使得能够快速且高效的去除所述靶材表面的残留。

发明内容

本发明解决的问题是现有技术中除去靶材表面残留金属的方法耗时耗力，效率较低。

为解决上述问题，本发明提供一种靶材的处理方法，包括：提供靶材以及清洗液，所述清洗液为化学溶剂；将所述靶材放入所述清洗液浸泡处理。

可选的，所述清洗液包括水与腐蚀液，其中，所述腐蚀液为氢氟酸、硝酸的混合。

可选的，所述清洗液中，所述腐蚀液与水的体积比为1:1.3～1:1.5。

可选的，所述腐蚀液中氢氟酸与硝酸为分析纯规格，所述腐蚀液中的氢氟酸与硝酸的体积比为1：2.5～1:3.5。

可选的，将所述靶材放入所述清洗液浸泡处理温度为23℃-28℃。

可选的，所述清洗液为硫酸与水的混合液。

可选的，将所述靶材放入所述清洗液浸泡处理之前，还包括：提供碱液，使用所述碱液对所述靶材表面进行除油处理。

可选的，使用所述碱液对所述靶材表面进行除油处理之后，还包括：将除油处理后的所述靶材用纯水清洗。

可选的，将所述靶材用所述清洗液处理，包括：用所述清洗液对所述靶材进行多次处理。

可选的，将所述靶材用所述腐蚀液处理为浸泡处理，时间为30min-120min。

可选的，将所述靶材用所述腐蚀液处理之后，还包括：使用纯水将所述靶材再次进行清洗处理。

可选的，将所述靶材进行清洗处理之后，还包括：提供干燥箱，将所述靶材进行干燥处理，处理温度为60℃-70℃，时间为20min-25min。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：

将所述靶材放入所述清洗液浸泡处理，使所述靶材与所述清洗液发生化学反应，从而所述靶材表面的残留物会被所述清洗液溶解，处理过程简单方便，减小能耗。

附图说明

图1是一实施例提供的靶材示意图；

图2是将图1中靶材进行除油处理的示意图；

图3与图4是将靶材分别放入不同浓度的清洗液中处理的示意图。