[发明专利]一种PBT/PCT复合材料及其制备方法和用途有效

专利信息
申请号: 201811627620.2 申请日: 2018-12-28
公开(公告)号: CN109679304B 公开(公告)日: 2021-04-06
发明(设计)人: 朱怀才;罗海威;梁振锋;谭善兴 申请(专利权)人: 深圳市中塑新材料有限公司
主分类号: C08L67/02 分类号: C08L67/02;C08L51/06;C08K7/14
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 巩克栋
地址: 523859 广东省深圳市宝安区宝*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 pbt pct 复合材料 及其 制备 方法 用途
【说明书】:

发明提供了一种PBT/PCT复合材料及其制备方法和用途。所述PBT/PCT复合材料包括如下重量份数的组分:PBT 30‑45份、PCT 4‑20份、(乙烯基POSS,MAH)‑g‑PP 5‑10份和增强材料25‑40份。所述PBT/PCT复合材料是通过先采用乙烯基POSS与MAH‑g‑PP反应生成(乙烯基POSS,MAH)‑g‑PP,再与PBT、PCT及增强材料熔融共混的方法制备得到。本发明提供的PBT/PCT复合材料同时具有较高的耐热性和机械强度,较低的介电常数和介电损耗,可用作电子产品的纳米注塑材料。

技术领域

本发明属于高分子复合材料技术领域,涉及一种纳米注塑材料,尤其涉及一种PBT/PCT复合材料及其制备方法和用途。

背景技术

纳米注塑材料主要应用于手机、电脑等电子产品中,纳米注塑材料常用的树脂有PBT(聚对苯二甲酸丁二醇酯)、PPS(聚苯硫醚)、PA6(聚己内酰胺)、 PA66(聚己二酰己二胺)等。伴随着电子信息技术的发展,电子产品对于电磁信号透过率的要求越来越高。5G时代即将来临,其对于电子设备的电磁延迟率和损耗相比4G有着更严苛的要求。而真空离子电镀技术的应用,也要求纳米注塑材料具有更高的耐热性。因此,研发耐热、低介电的纳米注塑材料对电子产品的发展有着重要意义。

降低高分子材料介电常数的方法主要有两种:一是通过分子设计降低材料的极化率;二是形成含有空气间隙的纳米微孔材料。第二种方法多是采用发泡材料,由此造成材料综合力学性能较差,难以满足使用需求。第一种方法则多通过高分子共混实现。

CN 107365480A公开了一种高耐热低介电常数的NMT材料,包括PCT树脂、玻璃纤维、增韧剂、抗氧化剂及润滑剂,该材料在100MHz测试条件下的介电常数为2.9左右。CN108102311A公开了一种低介电PBT/PETG合金纳米注塑复合材料,包括PBT树脂30-50重量份、PETG树脂30-50重量份、玻璃纤维30-40重量份、抗氧剂0.2-0.8重量份、润滑剂1-2重量份、抗UV剂0.3-0.5 重量份和相容剂3-8重量份,该复合材料在100MHz测试条件下的介电常数达到2.9-3.02。

但是,上述复合材料虽然具有较低的介电常数,但是仍然难以满足5G电子产品的要求,且存在机械强度差或者耐热性差的问题,各性能难以兼顾。为了适应5G产品的要求,有待于研发一种具有更低介电常数和良好的耐热性、机械性能的纳米注塑材料。

发明内容

针对现有技术存在的不足,本发明的目的在于提供一种PBT/PCT复合材料及其制备方法和用途。该PBT/PCT复合材料同时具有较高的耐热性和机械强度,较低的介电常数和介电损耗,可用作电子产品的纳米注塑材料。

为达此目的,本发明采用以下技术方案:

第一方面,本发明提供一种PBT/PCT复合材料,包括如下重量份数的组分:

需要说明的是,本发明中所述(乙烯基POSS,MAH)-g-PP是指接枝有乙烯基POSS(笼形倍半硅氧烷)和MAH(马来酸酐)的PP(聚丙烯)。

本发明以PBT(聚对苯二甲酸丁二醇酯)和PCT(聚对苯二甲酸1,4-环己烷二甲醇酯)作为基材,在特定的比例下与(乙烯基POSS,MAH)-g-PP及增强材料配合,能够使得到的复合材料同时具有较高的耐热性和机械强度,较低的介电常数和介电损耗。

当PBT的含量过低,PCT的含量过高时,得到的复合材料的耐热性有所提升,但韧性和粘结性能明显下降;当PBT的含量过高,PCT的含量过低时,得到的复合材料的耐热性能不足。

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