[发明专利]瞬态增强的LDO电路有效

专利信息
申请号: 201811647259.X 申请日: 2018-12-29
公开(公告)号: CN109683655B 公开(公告)日: 2020-08-07
发明(设计)人: 常祥岭;谢雪松;赵海亮;刘燕涛;龙继志 申请(专利权)人: 上海贝岭股份有限公司
主分类号: G05F3/26 分类号: G05F3/26
代理公司: 上海弼兴律师事务所 31283 代理人: 薛琦;罗朗
地址: 200233 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 瞬态 增强 ldo 电路
【说明书】:

发明公开了一种瞬态增强的LDO电路,包括误差放大器、瞬态增强前馈电路、共源放大器、第一PMOS管、第一电阻、第二电阻、电容和负载;误差放大器的第一输入端连接参考电压,第一输出端分别连接共源放大器的输入端和瞬态增强前馈电路的输入端,第二输出端连接电源;第一PMOS管的源极连接电源,漏极分别连接共源放大器的输出端和瞬态增强前馈电路的输出端,栅极分别连接第一电阻的一端、电容的一端和负载的一端;第二电阻的一端分别连接第一电阻的另一端和误差放大器的第二输入端,第二电阻的另一端、电容的另一端和负载的另一端分别接地。本发明中负载从轻载快速跳变至重载时,由瞬态增强前馈电路产生下拉电流,增大输出至负载的电压。

技术领域

本发明属于电子技术领域,特别涉及一种瞬态增强的LDO电路。

背景技术

LDO电路(低压差线性稳压器电路)是一种负反馈系统,通过比较基准电压vref和vfb,输出一稳定的vout电压,在LDO结构中,当负载从轻载状态快速跳变至重载状态时,经整个负反馈电路的反馈,将vout拉高,使得系统重新进入稳态,但是,由于LDO电路中的驱动管的寄生电容很大,且第二级NMOS管的偏置电流大小有限,导致驱动管的栅极电压VGS变化的速率受限,同时有受限于整个负反馈环路的带宽,使得在负载快速跳变时,vout的瞬间波动较大,系统性能明显降低。

发明内容

本发明要解决的技术问题是为了克服现有技术中负载快速跳变时低压差线性稳压器电路的系统性能明显降低的缺陷,提供一种瞬态增强的LDO电路。

本发明是通过下述技术方案来解决上述技术问题:

一种瞬态增强的LDO电路,所述LDO电路包括误差放大器、瞬态增强前馈电路、共源放大器、第一PMOS管、第一电阻、第二电阻、电容和负载;

所述误差放大器的第一输入端连接参考电压,所述误差放大器的第一输出端分别连接所述共源放大器的输入端和所述瞬态增强前馈电路的输入端,所述误差放大器的第二输出端连接电源;

所述第一PMOS管的源极连接电源,所述第一PMOS管的漏极分别连接所述共源放大器的输出端和所述瞬态增强前馈电路的输出端,所述第一PMOS管的栅极分别连接所述第一电阻的一端、所述电容的一端和所述负载的一端;

所述第二电阻的一端分别连接所述第一电阻的另一端和所述误差放大器的第二输入端,所述第二电阻的另一端、所述电容的另一端和所述负载的另一端分别接地;

所述瞬态增强前馈电路用于在所述误差放大器的输出信号增大时产生下拉电流,所述下拉电流用于增大所述第一PMOS管的栅极输出至所述负载的电压。

较佳地,所述共源放大器包括第二PMOS管和第一NMOS管;

所述共源放大器的输入端为所述第二PMOS管的漏极,所述共源放大器的输出端为所述第二PMOS管的栅极;

所述第二PMOS管的源极连接电源,所述第二PMOS管的栅极连接所述第一NMOS管的栅极;

所述第一NMOS管的源极接地,所述第一NMOS管的漏极接偏置电压。

较佳地,所述瞬态增强前馈电路包括gm增益器、电流比较器、第一开关、第二开关、第三电阻和电流镜电路;

所述瞬态增强前馈电路的输入端为所述gm增益器的输入端,所述gm增益器的输出端与所述电流比较器的第一输入端连接;

所述电流比较器的第二输入端接参考电流,所述电流比较器的输出端分别连接所述第一开关的一端和所述第二开关的一端;

所述电流镜电路的一端接地,所述电流镜电路的另一端分别连接所述第三电阻的一端和所述第二开关的一端;

所述第三电阻的另一端连接所述第一开关的一端,所述第一开关的另一端接电源;

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